[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011054158.9 | 申請日： | 2020-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN113161355A | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 韓相逸;韓成熙;黃有商 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/108 | 分類號： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 楊姍 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲 器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
襯底，包括單元區(qū)和外圍區(qū)；
多個下電極，在所述單元區(qū)中設(shè)置在所述襯底上；
介電層，設(shè)置在所述多個下電極上；
含金屬層，設(shè)置在所述介電層上；
硅鍺層，設(shè)置在所述含金屬層上并且電連接到所述含金屬層；
導(dǎo)電焊盤，設(shè)置在所述硅鍺層上并且電連接到所述硅鍺層；
上電極接觸插塞，設(shè)置在所述導(dǎo)電焊盤上并且電連接到所述導(dǎo)電焊盤；
位線，在所述單元區(qū)中設(shè)置在所述襯底上并且沿第一方向延伸；以及
多條字線，在所述單元區(qū)中設(shè)置在所述襯底中并且沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸；
其中，所述導(dǎo)電焊盤沿所述第一方向從所述上電極接觸插塞朝向所述外圍區(qū)延伸，并且
其中，所述硅鍺層包括沿所述第一方向延伸超出所述導(dǎo)電焊盤的邊緣部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述硅鍺層的寬度大于所述導(dǎo)電焊盤的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述硅鍺層的所述邊緣部分介于所述外圍區(qū)與所述導(dǎo)電焊盤的側(cè)表面之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電焊盤的所述側(cè)表面基本上垂直于所述第一方向和所述襯底的表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述硅鍺層的頂表面包括被所述導(dǎo)電焊盤覆蓋的第一表面和與未被所述導(dǎo)電焊盤覆蓋并且沿所述第一方向延伸超出所述導(dǎo)電焊盤的所述邊緣部分相對應(yīng)的第二表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，相對于所述襯底，所述硅鍺層的所述第一表面偏離所述硅鍺層的所述第二表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述硅鍺層的所述第一表面、所述硅鍺層的所述第二表面以及所述硅鍺層的在所述硅鍺層的所述第一表面與所述第二表面之間的側(cè)表面形成臺階結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：
外圍接觸插塞，電連接到所述位線并且設(shè)置在所述外圍區(qū)中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述上電極接觸插塞的下表面比所述硅鍺層的被所述導(dǎo)電焊盤覆蓋的部分的頂表面距所述襯底更遠(yuǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：
多晶硅層，介于所述硅鍺層與所述導(dǎo)電焊盤之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：
多晶硅層，設(shè)置在所述硅鍺層的所述邊緣部分的頂表面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電焊盤直接設(shè)置在所述硅鍺層上。
13.一種半導(dǎo)體器件，包括：
襯底，包括單元區(qū)和外圍區(qū)；
多個下電極，在所述單元區(qū)中設(shè)置在所述襯底上；
介電層，設(shè)置在所述多個下電極上；
含金屬層，設(shè)置在所述介電層上；
硅鍺層，設(shè)置在所述含金屬層上并且電連接到所述含金屬層；
第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤，設(shè)置在所述硅鍺層上并且電連接到所述硅鍺層；
第一上電極接觸插塞，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電焊盤上并且電連接到所述第一導(dǎo)電焊盤；
第二上電極接觸插塞，設(shè)置在所述第二導(dǎo)電焊盤上并且電連接到所述第二導(dǎo)電焊盤；
層間絕緣體，設(shè)置在所述硅鍺層的在所述第一導(dǎo)電焊盤與所述第二導(dǎo)電焊盤之間的第一部分以及所述硅鍺層的在所述第二導(dǎo)電焊盤與所述外圍區(qū)之間的第二部分上；
位線，在所述單元區(qū)中設(shè)置在所述襯底上并且沿第一方向延伸；以及
多條字線，在所述單元區(qū)中設(shè)置在所述襯底中并且沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
