[發明專利]OLED陣列基板及其制作方法、OLED顯示面板在審
| 申請號: | 202011053169.5 | 申請日: | 2016-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN112117318A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 高志揚 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐旭;陳嵐 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 陣列 及其 制作方法 顯示 面板 | ||
1.一種OLED陣列基板,包括襯底、以及布置在所述襯底上的第一電極層、像素定義層和有機材料功能層,
所述陣列基板包括發射不同顏色的光的多個發光區域,每個發光區域均包括有機材料功能層的部分;
所述像素定義層被配置成分隔所述多個發光區域,且像素定義層包括與所述多個發光區域對應的多個像素區域和處于相鄰像素區域之間的間隔區域,
其中所述有機材料功能層包括依次布置在所述襯底上的第一功能層、發光層和第二功能層,所述多個發光區域的第一功能層被所述間隔區域的像素定義層分隔而彼此隔離,且對應于所述多個發光區域的第二功能層彼此相連為一體。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其中所述第二功能層在襯底上的正投影的面積大于所述第一功能層在襯底上的正投影的面積,且所述第二功能層在襯底上的正投影的面積大于所述發光層在襯底上的正投影的面積。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其中所述第一電極層位于所述襯底和所述像素定義層之間,在垂直于所述襯底的豎直方向上,處于所述間隔區域的所述像素定義層遠離襯底一側的表面距離第一電極層的高度小于所述有機材料功能層遠離襯底一側的表面距離第一電極層的高度。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其中對應于所述多個發光區域的第二功能層彼此相連而覆蓋多個像素區域和多個間隔區域。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的陣列基板,所述像素定義層的多個像素區域包括多個開口,所述第一功能層、所述發光層和所述第二功能層均有至少部分位于所述多個開口內。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,所述像素定義層的開口的側壁包括與所述第一功能層直接接觸的部分和與所述第二功能層直接接觸的部分,且所述像素定義層的開口的面向對應的所述發光區域的側壁與所述第一功能層直接接觸的部分的坡度角大于所述像素定義層的開口的側壁與所述第二功能層直接接觸的部分的坡度角。
7.根據權利要求5所述的陣列基板,所述第一功能層位于所述像素定義層的開口內部的部分在襯底上的正投影的面積小于第二功能層位于所述像素定義層的開口內部的部分在襯底上的正投影的面積。
8.根據權利要求1-4和6-7中任一項所述的陣列基板,其中所述像素定義層包括處于所述間隔區域的第一間隔部,所述第一間隔部在垂直于所述襯底的豎直方向上的厚度大于所述第一功能層在所述豎直方向上的厚度,以使得對應于所述各個像素區域的第一功能層彼此隔離。
9.根據權利要求8所述的陣列基板,其中所述像素定義層還包括處于所述第一間隔部遠離襯底一側的的第二間隔部,所述第一間隔部和所述第二間隔部的面向同一發光區域的側壁彼此相連形成平滑過渡的表面,且所述第二間隔部在襯底上的正投影位于所述第一間隔部在襯底上的正投影內。
10.根據權利要求9所述的陣列基板,其中所述第二間隔部和所述第一間隔部在所述豎直方向上的厚度的和大于所述第一功能層和所述發光層在所述豎直方向上的厚度的和。
11.根據權利要求9或10所述的陣列基板,其中所述第一間隔部的側壁與平行于襯底的一平面的夾角大于所述第二間隔部的側壁與平行于襯底的一平面的夾角。
12.根據權利要求11所述的陣列基板,其中第一間隔部的側壁與第一間隔部的下表面的夾角大于或等于60°,并且第二間隔部的側壁與第二間隔部的下表面的夾角小于或等于30°。
13.根據權利要求9或10所述的陣列基板,其中直接相鄰的兩個所述第一間隔部之間的平行于所述襯底的平面的距離不大于直接相鄰的兩個所述第二間隔部之間的平行于所述襯底的平面的距離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





