[發明專利]保護膜形成用膜及保護膜形成用復合片在審
| 申請號： | 202011052837.2 | 申請日： | 2020-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN112625275A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發明（設計）人： | 小升雄一朗;米山裕之 | 申請（專利權）人： | 琳得科株式會社 |
| 主分類號： | C08J5/18 | 分類號： | C08J5/18;C08L33/08;C08L63/00;C08K13/06;C08K9/04;C08K3/36;C08K7/18;C08K3/08;C08K5/544;C08K3/04;C08K5/00;C08K5/3467;B32B27/36;B32B27/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 張晶;謝順星 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 保護膜 形成 復合 | ||
1.一種保護膜形成用膜，其用于在芯片的背面形成保護膜，其中，
利用所述保護膜的波長1400～1500nm下的吸光度的最大值Xmax與保護膜的150℃下的比熱S150，并通過下述式計算出的Z150為0.38以上，
Z150＝Xmax/S150；
且利用所述Xmax與所述保護膜的200℃下的比熱S200，并通過下述式計算出的Z200為0.33以上，
Z200＝Xmax/S200。
2.根據權利要求1所述的保護膜形成用膜，其中，所述保護膜形成用膜為熱固性或能量射線固化性。
3.根據權利要求1或2所述的保護膜形成用膜，其中，所述保護膜形成用膜含有兩種以上的能夠吸收可見光及紅外線中的任意一者或兩者的光吸收劑。
4.根據權利要求1或2所述的保護膜形成用膜，其中，所述保護膜形成用膜含有碳材料。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的保護膜形成用膜，其中，所述保護膜對波長400～750nm的光的透射率的最小值Tm為15％以下。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的保護膜形成用膜，其中，所述保護膜對波長1400～1500nm的光的反射率的最大值Um為20％以下。
7.一種保護膜形成用復合片，其具備支撐片與設置在所述支撐片的一個面上的保護膜形成用膜，
所述保護膜形成用膜為權利要求1～6中任一項所述的保護膜形成用膜。
8.根據權利要求7所述的保護膜形成用復合片，其中，所述支撐片具備基材與設置在所述基材的一個面上的粘著劑層，
所述粘著劑層配置于所述基材與所述保護膜形成用膜之間。
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