[發(fā)明專(zhuān)利]鈍化接觸電池及其制備方法和鈍化接觸結(jié)構(gòu)及其制備裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011052711.5
• 申請(qǐng)日: 2020-09-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114335236A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜哲仁;馬麗敏;陳嘉;季根華;喬振聰;林建偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 泰州中來(lái)光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/068
• 代理公司: 北京金之橋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11137
• 代理人: 李托弟;耿璐璐

1.一種鈍化接觸電池的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1、對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理，以在硅片表面形成介質(zhì)層；

S2、將硅片放入設(shè)置有靶材的PVD工藝腔中，并在所述PVD工藝腔內(nèi)通入氣體，以在所述介質(zhì)層上制備摻雜非晶硅層；其中，

所述靶材的個(gè)數(shù)為n，n≥2，所述n個(gè)靶材中至多存在一個(gè)不含摻雜源的靶材，其余靶材均為含摻雜源靶材，每個(gè)含摻雜源靶材的摻雜源濃度各不相同；

所述靶材從工藝腔的爐口到爐尾沿著硅片的前進(jìn)方向依次排放；

所述摻雜非晶硅層為至少包含兩層摻雜非晶硅層的復(fù)合摻雜非晶硅層，所述兩層摻雜非晶硅層的摻雜濃度不同；

S3、對(duì)硅片進(jìn)行退火處理，以激活所述摻雜非晶硅層，形成多晶硅層；

S4、對(duì)硅片進(jìn)行后處理，完成電池片的制備。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟S2中，

所述PVD工藝腔內(nèi)的氣體至少包含氬氣和/或氦氣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，在步驟S2中，

PVD工藝腔的溫度不大于350℃；摻雜非晶硅層的厚度為50-350nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，在步驟S2中，

通過(guò)磁控濺射法在所述介質(zhì)層上制備所述摻雜非晶硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，在步驟S2中，

所述不含摻雜源的靶材為位于硅片前進(jìn)方向的第一個(gè)靶材。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，在步驟S1中，

所述介質(zhì)層包括氧化硅、氮化硅、氧化鈦、氧化鉿或氧化鋁。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，在步驟S1中，所述對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理，以在硅片表面形成介質(zhì)層包括：

S11、選取硅片，并進(jìn)行制絨處理；

S12、選擇硅片的一個(gè)制絨面為正面，在正面制備正面發(fā)射極；

S13、對(duì)硅片的背面進(jìn)行刻蝕處理；

S14、在硅片的背面沉積介質(zhì)層。

8.一種鈍化接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)由濃度變化的多層摻雜非晶硅層組成。

9.一種鈍化接觸電池，其特征在于，所述鈍化接觸電池根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的方法制備。

10.一種鈍化接觸電池的制備裝置，其特征在于，所述裝置用于制備權(quán)利要求9所述的鈍化接觸電池，其PVD工藝腔內(nèi)包含濃度不同的多個(gè)含摻雜源的摻雜靶材。