[發(fā)明專利]熱電堆紅外探測(cè)器制作過(guò)程釋放薄膜的工藝

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011052512.4
• 申請(qǐng)日: 2020-09-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112250034A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪民;許玉方;李朗;汪洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州德芯半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00;B81B7/02;G01J5/12
• 代理公司: 北京中普鴻儒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11822
• 代理人: 林桐苒

1.熱電堆紅外探測(cè)器制作過(guò)程釋放薄膜的工藝，其特征在于：包括以下步驟：

（1）熱生成SiO₂薄膜：在拋光好的Si基底使用熱氧化法生成SiO₂薄膜；

（2）濺射金屬層：根據(jù)熱電堆懸浮窗的尺寸在相應(yīng)的位置腐蝕去除相同尺寸的SiO₂制成空腔，在剩余未腐蝕的SiO₂薄膜上施加光刻膠保護(hù)，再在空腔內(nèi)濺射0.5微米厚的易腐蝕的金屬層，清洗干凈；

（3）生成氮化硅層：用化學(xué)氣相沉淀法在整體上生成0.5微米厚的氮化硅層；

（4）生成多晶硅層：用低壓力化學(xué)氣相沉積法在氮化硅層上生成0.8微米厚的多晶硅層，將材料B離子（元素）使用離子注入機(jī)注入到多晶硅層上；

（5）制備多晶硅條：在多晶硅層上施加光刻膠，再使用光刻機(jī)按照預(yù)設(shè)的排列方式將多晶硅層制成多晶硅條，多晶硅條即熱電偶條；

（6）生成SiO₂層：使用低壓氣相沉淀法在步驟（5）的半成品上生成0.5微米的SiO₂層作為絕緣層，并通過(guò)光刻工藝制造接觸窗口使接觸窗口內(nèi)的多晶硅裸露；

（7）制備電極：在步驟（6）的半成品上濺射多晶硅上濺射一層金屬層，接觸窗口內(nèi)裸露的多晶硅上表面與該金屬層接觸，使用光刻機(jī)將該金屬層光刻腐蝕保留接觸窗口上的金屬層，接觸窗口上的金屬層形成熱電偶條的電極；

（8）腐蝕金屬層：在易腐蝕的金屬層上方刻蝕貫穿SiO₂層、多晶硅和氮化硅層的腐蝕通道，將腐蝕液從該腐蝕通道進(jìn)入并將易腐蝕的金屬層完全腐蝕，清理干凈；

（9）制造懸浮窗空腔：使XeF₂氣體從腐蝕通道進(jìn)入被腐蝕了金屬層的空腔里，把下面Si基底進(jìn)一步腐蝕確保空腔內(nèi)的SiO₂薄膜完全被釋放。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電堆紅外探測(cè)器，其特征在于：SiO₂薄膜的厚度為0.5±0.1微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電堆紅外探測(cè)器，其特征在于：步驟（2）中使用氟化氫直接腐蝕SiO₂薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電堆紅外探測(cè)器，其特征在于：易腐蝕金屬層為鋁層或者銅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電堆紅外探測(cè)器，其特征在于：步驟（4）中注入B離子使電阻為50±5歐姆。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電堆紅外探測(cè)器，其特征在于：步驟（8）中所使用的腐蝕液為FeCl₃溶液。