[發明專利]半導體器件的制備方法

在審

• 申請號: 202011052421.0
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112164648A
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: 周穎;王軍;羅志永
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，所述半導體器件的制備方法包括：

提供一襯底，所述襯底內形成有第一溝槽，且在所述第一溝槽的側壁上形成有屏蔽層；

在所述襯底表面及所述第一溝槽內形成阻擋層；

去除所述襯底表面及所述第一溝槽底部的所述阻擋層，并且在所述屏蔽層上保留有所述阻擋層；

去除所述第一溝槽底部的部分厚度的所述襯底，以形成第二溝槽。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在去除所述襯底表面及所述第一溝槽底部的所述阻擋層時，去除位于所述屏蔽層上的部分厚度的所述阻擋層。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在去除位于所述屏蔽層上的部分厚度的所述阻擋層后，保留的所述阻擋層的厚度范圍為：

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，采用低壓化學氣相沉積工藝形成所述阻擋層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝去除所述襯底表面及所述第一溝槽底部的所述阻擋層，并且在所述屏蔽層上保留有所述阻擋層；其中，采用的刻蝕氣體包括四氟化碳。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝去除所述第一溝槽底部的部分厚度的所述襯底，以形成所述第二溝槽；其中，采用的刻蝕氣體包括六氟化硫。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在提供一襯底，所述襯底內形成有第一溝槽，且在所述第一溝槽的側壁上形成有屏蔽層的步驟包括：

提供一襯底，所述襯底內形成有第一溝槽；

在所述襯底表面及所述第一溝槽內形成所述屏蔽層；

去除所述襯底表面及所述第一溝槽底部的所述屏蔽層。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在所述襯底表面及所述第一溝槽內形成所述屏蔽層之前，所述半導體器件的制備方法還包括：在所述襯底表面及所述第一溝槽內形成第一氧化層。

9.根據權利要求8所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在去除所述襯底表面及所述第一溝槽底部的所述屏蔽層之后，所述半導體器件的制備方法還包括：去除所述第一溝槽底部的所述第一氧化層。

10.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在去除所述第一溝槽底部的部分厚度的所述襯底，以形成所述第二溝槽之后，所述半導體器件的制備方法還包括：在所述第二溝槽內形成第二氧化層。