[發明專利]一種易降解的再生塑料瓦及其制備方法

在審

• 申請號: 202011052019.2
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112159546A
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: 楊傳榮;董豪;楊雪亮
• 申請（專利權）人: 安徽環嘉天一再生資源有限公司
• 主分類號: C08J7/04
• 分類號: C08J7/04;C08L55/02;C08L3/02;C08K9/10;C08K3/26;C08K5/053;C09D4/06;C09D4/02;C09D7/61;C09D7/63;C09D7/65;C08G63/553;C08G63/85
• 代理公司: 合肥正則元起專利代理事務所(普通合伙) 34160
• 代理人: 楊潤;周衛

1.一種易降解的再生塑料瓦，其特征在于，包括可降解瓦體和涂覆在可降解瓦體表面的隔熱涂層；

所述可降解瓦體為可降解塑料，所述可降解塑料由如下方法制成：

步驟S1、將馬尾松松香加入三口燒瓶中，通入氮氣，在120r/min的轉速下勻速攪拌并以10℃/min的升溫速率升溫至120-130℃，在此溫度下加熱1h，之后分三次等量加入順丁烯二酸酐，混合均勻后升溫至170℃，在此溫度下反應2h后降溫至100℃，加入冰醋酸回流反應30min，制得粗產物，通過冰醋酸對粗產物重結晶2次，制得第一反應產物；

步驟S2、將第一反應產物、丙三醇和鈦酸四丁酯按照10∶1-1.2∶0.1-0.15的重量比加入三口燒瓶中，通入氮氣排出空氣，升溫至200-220℃，在此溫度下勻速攪拌并反應，直至體系酸值穩定，之后減壓反應3h，反應結束后制得第二反應產物，轉移至丙酮中，勻速攪拌直至第二反應產物完全溶解，之后用甲醇分級沉淀，抽濾，將濾餅在60℃下真空干燥20h，控制真空度為-0.10MPa，制得精制后的第二反應產物；

步驟S3、將步驟S2制得的精制后的第二反應產物和納米碳酸鈣加入三口燒瓶中，勻速攪拌15min后加入二甲基甲酰胺，60-65℃水浴加熱并磁力攪拌30min，攪拌結束后減壓抽濾，將濾餅置于60℃干燥箱中干燥10h，之后升溫至110℃，繼續干燥10h，制得改性納米碳酸鈣；

步驟S4、將小麥淀粉和甘油混合均勻，制備出混合料A，控制甘油的用量為小麥淀粉質量的50％，將ABS樹脂和改性納米碳酸鈣加入分散機中，在2000-2500r/min的轉速下分散2min，制得混合料B，將混合料A和混合料B加入注塑機中，控制螺桿轉速為100r/min，擠出，制得可降解塑料，控制ABS樹脂和改性納米碳酸鈣的重量比為1∶0.3-0.5，混合料A和混合料B的重量比為0.8-1∶1。

2.根據權利要求1所述的一種易降解的再生塑料瓦，其特征在于，步驟S1中控制馬尾松松香、順丁烯二酸酐和冰醋酸的重量比為4-5∶1∶3-5，步驟S3中控制精制后的第二反應產物、納米碳酸鈣和二甲基甲酰胺的重量比為1∶5∶20-25。

3.根據權利要求1所述的一種易降解的再生塑料瓦，其特征在于，步驟S1中馬尾松松香中樹脂酸的含量為85％-90％。

4.根據權利要求1所述的一種易降解的再生塑料瓦，其特征在于，所述隔熱涂層為厚度為100-150μm的隔熱聚氨酯涂料，所述隔熱聚氨酯涂料由如下方法制成：

步驟S11、將三聚氰胺加入丁四醇中，45℃水浴加熱，高速研磨并攪拌，加入硼酸鋅，繼續攪拌10min之后加入三硬脂酸甘油酯，以450r/min的轉速攪拌45min，制得混合物C，控制三聚氰胺、硼酸鋅和三硬脂酸甘油酯的重量比為1∶0.1-0.3∶0.05-0.08；

步驟S12、將碳化硅、納米二氧化硅和鈦白粉混合研磨，制得混合粉末D，之后將硅橡膠加入輥膠機中進行混煉20-30min，之后加入步驟S11制得的混合物C，繼續混煉30min，取出，制得填充料，控制碳化硅、納米二氧化硅和鈦白粉的重量比為1∶1∶0.5-0.8，混合物C和混合粉末D的重量比為0.5-0.8∶1；

步驟S13、將水性聚氨酯加入裝有去離子水的反應釜中，勻速攪拌15min后加入甲基丙烯酸羥丙磺酸鈉，45-55℃水浴加熱，在此溫度下攪拌20-30min，制得混合乳液，之后加入步驟S12制得的填充料和聚乙烯吡咯烷酮，超聲30min后以200r/min的轉速分散15min，制得隔熱聚氨酯涂料。

5.根據權利要求4所述的一種易降解的再生塑料瓦，其特征在于，步驟S13中控制水性聚氨酯、去離子水、甲基丙烯酸羥丙磺酸鈉、填充料和聚乙烯吡咯烷酮的重量比為30∶80-100∶0.3-0.5∶20-25∶0.1-0.2。

6.根據權利要求1所述的一種易降解的再生塑料瓦的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步、制備出可降解塑料，將可降解塑料通過模具定型，制備出可降解瓦體；

第二步、制備出隔熱聚氨酯涂料；

第三步、將隔熱聚氨酯涂料涂覆在可降解瓦體表面，控制涂覆厚度為100-150μm，形成隔熱涂層。