[發(fā)明專利]基于皮層腦電圖的多通道MEAs的制備方法

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• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112244848A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設計）人: 王琮;魏宇琛;蔣程鵬
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業(yè)大學
• 主分類號: A61B5/291
• 分類號: A61B5/291;A61B5/369
• 代理公司: 哈爾濱華夏松花江知識產(chǎn)權代理有限公司 23213
• 代理人: 侯靜

1.基于皮層腦電圖的多通道MEAs的制備方法，其特征在于該方法按以下步驟實現(xiàn)：

一、將硅襯底浸入HF溶液中去除氧化層，利用等離子體清洗硅襯底，得到清洗后的硅襯底；

二、通過電子束工藝在清洗后的硅襯底表面沉積鋁犧牲層；

三、將聚酰亞胺MEAs基材多次旋涂在鋁犧牲層上，依次進行軟烘烤和固化，得到帶有厚度為8～10微米聚酰亞胺底層的襯底；

四、采用光刻工藝對聚酰亞胺層進行圖案化定型，在腔壓為440～460mTorr、功率620～680W、CF₄流量為6～10sccm、O₂流量為70～80sccm的條件下，對聚酰亞胺層進行電感耦合等離子體刻蝕處理，得到圖案化的襯底；

五、通過光刻工藝形成多通道的微電極網(wǎng)絡和互連板，微電極材質(zhì)為鉻/鉑金屬層，然后經(jīng)過剝離工藝去除多余的金屬層，得到帶有微電極網(wǎng)絡的晶片；

六、再次將非光敏聚酰亞胺MEAs基材旋涂在聚酰亞胺底層上，依次進行軟烘烤和固化，得到厚度為8～10微米的頂層聚乙酰胺，使用光致抗蝕劑掩蔽晶片，以限定互連線和焊盤，然后利用電子束蒸發(fā)儀形成鉻/鉑金屬層，剝離互連線和焊盤的掩膜；

七、采用鋁蝕刻劑濕法蝕刻工藝去除鋁犧牲層，得到基于皮層腦電圖的多通道MEAs。

2.根據(jù)權利要求1所述的基于皮層腦電圖的多通道MEAs的制備方法，其特征在于步驟一中HF溶液的質(zhì)量濃度為10％。

3.根據(jù)權利要求1所述的基于皮層腦電圖的多通道MEAs的制備方法，其特征在于步驟一中等離子體清洗的工藝過程如下：

在等離子體清洗機中，控制O₂/H₂的流量比為9000：450sccm，以650W的射頻功率、80℃的襯底溫度、2Torr的腔室壓力清洗30秒。

4.根據(jù)權利要求1所述的基于皮層腦電圖的多通道MEAs的制備方法，其特征在于步驟一中硅襯底表面粗糙度的均方根值為8.5～8.8nm。

5.根據(jù)權利要求1所述的基于皮層腦電圖的多通道MEAs的制備方法，其特征在于步驟二中鋁犧牲層的厚度為3微米。

6.根據(jù)權利要求1所述的基于皮層腦電圖的多通道MEAs的制備方法，其特征在于步驟三和步驟六中所述的軟烘烤是在100℃下烘烤3分鐘，步驟三和步驟六中所述的固化是在300℃下處理3分鐘。

7.根據(jù)權利要求1所述的基于皮層腦電圖的多通道MEAs的制備方法，其特征在于步驟三和步驟六中聚酰亞胺層的厚度均為9微米。

8.根據(jù)權利要求1所述的基于皮層腦電圖的多通道MEAs的制備方法，其特征在于步驟五中微電極網(wǎng)絡的排布方式為：多行微電極平行間隔排布，每行微電極中的微電極單元間隔設置，每個微電極單元的引線從每行微電極的中部引出。

9.根據(jù)權利要求8所述的基于皮層腦電圖的多通道MEAs的制備方法，其特征在于微電極網(wǎng)絡包含50～70個微電極單元，10～12行微電極平行間隔排布。

10.根據(jù)權利要求1所述的基于皮層腦電圖的多通道MEAs的制備方法，其特征在于步驟五中鉻/鉑金屬層中鉻和鉑的沉積速率均為3埃/秒。