[發(fā)明專利]多相逆變器裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011051347.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-29 | 
| 公開(公告)號(hào): | CN112600442A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 | 
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | T·內(nèi)韋;E·卡里馬諾維奇;P·帕爾姆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英飛凌科技奧地利有限公司 | 
| 主分類號(hào): | H02M7/00 | 分類號(hào): | H02M7/00;H02M7/5387;H02P27/06 | 
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉書航;姜冰 | 
| 地址: | 奧地利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 | 
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多相 逆變器 裝置 | ||
公開了多相逆變器裝置。在實(shí)施例中提供了多相逆變器裝置,其包括絕緣基板、多個(gè)半橋電路和用于每個(gè)半橋電路的相輸出引線。絕緣基板包括在第一表面上的導(dǎo)電再分配結(jié)構(gòu),導(dǎo)電再分配結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)低電壓總線和至少一個(gè)高電壓總線。每個(gè)半橋電路被電耦合在低電壓總線和高電壓總線之間。每個(gè)半橋電路包括封裝的低側(cè)開關(guān)和封裝的高側(cè)開關(guān)以及與相應(yīng)的相輸出引線電耦合的相輸出。封裝的低側(cè)開關(guān)和封裝的高側(cè)開關(guān)被布置在基板的第一表面上。相輸出引線被布置在封裝的低側(cè)開關(guān)和封裝的高側(cè)開關(guān)上并且電耦合到封裝的低側(cè)開關(guān)和封裝的高側(cè)開關(guān),使得封裝的低側(cè)開關(guān)和封裝的高側(cè)開關(guān)被布置為在豎向上在相輸出引線和基板的第一表面之間。
背景技術(shù)
多相逆變器提供了用于將例如DC電源的輸入電源轉(zhuǎn)換為兩個(gè)或更多個(gè)輸出相并且因此轉(zhuǎn)換為AC電源的電路。這樣的多相逆變器裝置可以被用于驅(qū)動(dòng)電馬達(dá)。
多相逆變器電路可以是以模塊的形式提供的,例如如在EP2775519A2中公開那樣,其不僅包括電路的開關(guān)而且還包括控制電路。US10,236,791B1公開了一種逆變器,其包括連接在一起以提供逆變器電路的多個(gè)子模塊。
對(duì)于實(shí)際應(yīng)用而言,想要的是具有來自多相逆變器電路的良好的熱耗散并且還想要多相逆變器電路具有小的大小。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明,提供了一種多相逆變器裝置,其包括絕緣基板、多個(gè)半橋電路和用于每個(gè)半橋電路的相輸出引線。絕緣基板包括在第一表面上的導(dǎo)電再分配結(jié)構(gòu),導(dǎo)電再分配結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)低電壓總線和至少一個(gè)高電壓總線。每個(gè)半橋電路被電耦合在低電壓總線和高電壓總線之間。每個(gè)半橋電路包括封裝的低側(cè)開關(guān)和封裝的高側(cè)開關(guān)以及與相應(yīng)的相輸出引線電耦合的相輸出。封裝的低側(cè)開關(guān)和封裝的高側(cè)開關(guān)被布置在基板的第一表面上。相輸出引線被布置在封裝的低側(cè)開關(guān)和封裝的高側(cè)開關(guān)上并且電耦合到封裝的低側(cè)開關(guān)和封裝的高側(cè)開關(guān),使得封裝的低側(cè)開關(guān)和封裝的高側(cè)開關(guān)被布置為在豎向上在相輸出引線和基板的第一表面之間。
在一些實(shí)施例中,每個(gè)半橋電路包括彼此并聯(lián)電耦合的多個(gè)封裝的低側(cè)開關(guān)和彼此并聯(lián)耦合的多個(gè)封裝的高側(cè)開關(guān),并且相輸出引線被布置在多個(gè)低側(cè)開關(guān)和多個(gè)高側(cè)開關(guān)上并且電耦合到多個(gè)低側(cè)開關(guān)和多個(gè)高側(cè)開關(guān)。
在一些實(shí)施例中,多個(gè)封裝的低側(cè)開關(guān)被安裝在低側(cè)總線中的公共的總線上并且電耦合到低側(cè)總線中的公共的總線,并且多個(gè)封裝的高側(cè)開關(guān)被安裝在高側(cè)總線中的公共的總線上并且電耦合到高側(cè)總線中的公共的總線。
在一些實(shí)施例中,封裝的低側(cè)開關(guān)的每個(gè)具有在相對(duì)的主側(cè)上的功率電極,并且封裝的高側(cè)開關(guān)的每個(gè)具有在相對(duì)的主側(cè)上的功率電極。
在一些實(shí)施例中,封裝的低側(cè)開關(guān)的每個(gè)具有源極向下配置,并且封裝的高側(cè)開關(guān)的每個(gè)具有漏極向下配置。
在一些實(shí)施例中,相輸出引線被布置在封裝的低側(cè)開關(guān)的漏極電極和封裝的高側(cè)開關(guān)的源極電極上并且與封裝的低側(cè)開關(guān)的漏極電極和封裝的高側(cè)開關(guān)的源極電極電連接。
在一些實(shí)施例中,封裝的低側(cè)開關(guān)包括在第一側(cè)上的第一功率電極接觸和在與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)上的第二功率電極接觸,第一功率電極被安裝在低電壓總線上并且電連接到低電壓總線,相輸出引線被安裝在第二功率電極上并且電連接到第二功率電極。
在一些實(shí)施例中,封裝的低側(cè)開關(guān)的第一功率電極是源極電極,并且封裝的低側(cè)開關(guān)的第二功率電極是漏極電極。
在一些實(shí)施例中,封裝的高側(cè)開關(guān)包括在第一側(cè)上的第二功率電極接觸和在與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)上的第一功率電極接觸,第二功率電極被安裝在高電壓總線上并且電連接到高電壓總線,相輸出引線被安裝在第一功率電極上并且電連接到第一功率電極。
在一些實(shí)施例中,封裝的高側(cè)開關(guān)的第一功率電極是源極電極,并且封裝的高側(cè)開關(guān)的第二功率電極是漏極電極。
在一些實(shí)施例中,封裝的低側(cè)開關(guān)和封裝的高側(cè)開關(guān)被部署在公共的封裝中。替換地,在一些實(shí)施例中,封裝的低側(cè)開關(guān)和封裝的高側(cè)開關(guān)被部署在分離的封裝中。
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H02M7-02 .不可逆的交流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M7-42 .不可逆的直流功率輸入變換為交流功率輸出的
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H02M7-68 ..用靜態(tài)變換器的
H02M7-86 ..用動(dòng)態(tài)變換器的





