[發明專利]圖像傳感器芯片級封裝及制造方法

有效

• 申請號: 202011051168.7
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112652638B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 葉劍蟬;郭盈志
• 申請（專利權）人: 豪威科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/56
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;王艷春

1.一種用于制造圖像傳感器芯片級封裝的方法，包括：

用臨時粘合劑將玻璃晶片接合至包括圖像傳感器陣列的器件晶片；

在所述接合之后，將所述器件晶片的厚度減小到小于100微米；

從所述器件晶片中移除多個傳感器間區域中的每個，每個傳感器間區域均位于所述圖像傳感器陣列的相應的一對圖像傳感器之間，以形成隔離管芯晶片，所述隔離管芯晶片包括多個圖像傳感器管芯，每個圖像傳感器管芯均包括接合至所述玻璃晶片的所述圖像傳感器陣列的相應圖像傳感器；

封裝所述隔離管芯晶片，以形成封裝管芯晶片；

從所述多個圖像傳感器管芯的每個中移除覆蓋所述相應圖像傳感器的所述玻璃晶片的相應區域；以及

將所述封裝管芯晶片單體化。

2.根據權利要求1所述的方法，移除所述玻璃晶片的相應區域包括：從所述隔離管芯晶片移除所述玻璃晶片，并且在從所述隔離管芯晶片移除所述玻璃晶片之后，進行將所述封裝管芯晶片單體化。

3.根據權利要求2所述的方法，所述單體化產生所述圖像傳感器芯片級封裝，并且所述方法還包括：在移除所述玻璃晶片的相應區域之后且在所述單體化之后，將所述圖像傳感器芯片級封裝表面安裝至印刷電路板。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述單體化發生在移除所述玻璃晶片的相應區域之前，并且包括：將所述封裝管芯晶片和接合至所述封裝管芯晶片的所述玻璃晶片二者單體化，并產生具有覆蓋玻璃的所述圖像傳感器芯片級封裝，所述覆蓋玻璃接合至所述圖像傳感器芯片級封裝并且對應于所述玻璃晶片的所述相應區域。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括：在所述單體化之后和移除所述玻璃晶片的所述相應區域之前，將所述圖像傳感器芯片級封裝表面安裝至印刷電路板。

6.根據權利要求1所述的方法，封裝所述隔離管芯晶片包括：用模制化合物封裝所述隔離管芯晶片。

7.根據權利要求6所述的方法，用模制化合物封裝所述隔離管芯晶片包括以下中的一個：壓縮模制所述模制化合物和傳遞模制所述模制化合物。

8.根據權利要求6所述的方法，所述模制化合物在低于其玻璃化轉變溫度的溫度下具有小于15ppm/K的第一熱膨脹系數，以及在高于所述玻璃化轉變溫度的溫度下具有小于30ppm/K的第二熱膨脹系數。

9.根據權利要求6所述的方法，所述模制化合物具有超過24GPa的楊氏模量。

10.根據權利要求6所述的方法，所述模制化合物包括環氧樹脂、催化劑和脫模劑。

11.根據權利要求6所述的方法，所述模制化合物包括無機填充劑，所述無機填充劑的質量分數在70％與80％之間。

12.一種圖像傳感器芯片級封裝，包括：

半導體管芯，具有小于100微米的厚度，并且包括圖像傳感器，所述圖像傳感器配置為檢測入射到所述半導體管芯的頂側上的光；

電介質層，在所述半導體管芯的與所述頂側相對的底側上，所述底側位于所述電介質層和所述頂側之間；

封裝層，由模制化合物形成，所述電介質層在所述封裝層和所述半導體管芯之間；以及

多個導電元件，每個導電元件均電連接至所述圖像傳感器，直徑在一百微米與五百微米之間，以及穿過所述封裝層突出。

13.根據權利要求12所述的圖像傳感器芯片級封裝，所述模制化合物在低于其玻璃化轉變溫度的溫度下具有小于15ppm/K的第一熱膨脹系數，以及在高于所述玻璃化轉變溫度的溫度下具有小于30ppm/K的第二熱膨脹系數。

14.根據權利要求13所述的圖像傳感器芯片級封裝，其中，所述玻璃化轉變溫度在140℃與180℃之間。