[發明專利]一種紅外窗口增透保護結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202011051048.7
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112080722A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 張美奇;趙培
• 申請（專利權）人: 昆明奧夫特光電技術有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/32;C23C16/26;C23C14/18;C23C28/00;G02B1/115;G02B1/14
• 代理公司: 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊立秋

1.一種紅外窗口增透保護結構，該結構包括增透層、基底和保護層，所述基底的一側附著有所述增透層，另一側附著有所述保護層；其特征在于：

所述增透層自所述基底起依次包括第一鍺層、第一硫化鋅層、第二鍺層和第二硫化鋅層；

所述保護層自所述基底起依次包括鍺砷硒層和類金剛石層。

2.根據權利要求1所述的一種紅外窗口增透保護結構，其特征在于：所述基底為硫系玻璃、鍺玻璃、硅玻璃中的一種。

3.根據權利要求1所述的一種紅外窗口增透保護結構，其特征在于：所述第一鍺層的厚度為100-1000nm；所述第一硫化鋅層的厚度為100-2200nm；所述第二鍺層的厚度為50-280nm；所述第二硫化鋅層的厚度為100-1100nm。

4.根據權利要求1所述的一種紅外窗口增透保護結構，其特征在于：所述鍺砷硒層的厚度為100-1000nm；所述類金剛石層的厚度為100-1400nm。

5.根據權利要求1-4任一項所述的紅外窗口增透保護結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、鍺砷硒層的沉積：在所述基底的一側表面沉積所述鍺砷硒層，所述鍺砷硒層可利用鍺、砷、硒混合蒸鍍的方式沉積在所述基底表面，蒸鍍過程中利用離子源輔助以增加膜層之間的結合力；

S2、類金剛石層的沉積：在沉積所述類金剛石層前，首先利用氬氣、氮氣或氧氣對S1中沉積所述鍺砷硒層一側的所述基底表面進行濺射清洗，隨后所述類金剛石層通過化學氣相沉積的方法沉積在所述鍺砷硒層表面，可以采用甲烷、乙炔或丁烷為氣源，氬氣、氮氣為載氣進行沉積，沉積過程中控制氬氣、氮氣兩者的比例和射頻功率的大小；

S3、鍺層和硫化鋅層的交替沉積：在所述基底的另一側表面依次利用蒸鍍的方式沉積所述第一鍺層、所述第一硫化鋅層、所述第二鍺層、所述第二硫化鋅層。

6.根據權利要求5所述的紅外窗口增透保護結構的制備方法，其特征在于：在鍺砷硒層的沉積前、類金剛石層的沉積前、鍺層和硫化鋅層的交替沉積前均利用氬氣、氮氣或氧氣分別進行濺射清洗。