[發明專利]AlGaN基深紫外發光二極管及其AlGaN外延片和制備方法在審
| 申請號： | 202011050018.4 | 申請日： | 2020-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN111987197A | 公開（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發明（設計）人： | 孫曉娟;隋佳恩;蔣科;張山麗;石芝銘 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹衛良 |
| 地址： | 130033 吉林省長春*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | algan 深紫 發光二極管 及其 外延 制備 方法 | ||
1.AlGaN外延片，其特征在于，由下而上依次包括：襯底、單層圖形化BN緩沖層、AlGaN層，其中所述單層圖形化BN緩沖層作為緩沖層。
2.根據權利要求1所述的AlGaN外延片，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底、硅襯底、碳化硅襯底中的任一種。
3.根據權利要求1所述的AlGaN外延片，其特征在于，所述單層圖形化BN緩沖層被設置采用化學氣相沉積法或物理氣相沉積法直接在所述襯底上生長形成。
4.根據權利要求1所述的AlGaN外延片，其特征在于，所述單層圖形化BN緩沖層被設置采用化學氣相沉積法或物理氣相沉積法生長形成后轉移至所述襯底表面。
5.根據權利要求1所述的AlGaN外延片，其特征在于，所述單層圖形化BN緩沖層被設置通過離子束刻蝕的方式獲取。
6.根據權利要求1所述的AlGaN外延片，其特征在于，所述單層圖形化BN緩沖層的圖形為圓形或六邊形。
7.AlGaN基深紫外發光二極管，其特征在于，包括根據權利要求1至6中任一所述的AlGaN外延片和于所述AlGaN外延片依次生長形成的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱層、p型AlGaN層、p型GaN層。
8.根據權利要求7所述的AlGaN基深紫外發光二極管，其特征在于，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱層中Al組分含量xy,所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱層中，AlxGa1-xN為阱層，AlyGa1-yN為壘層，且Al組分含量0≤xy1。
9.根據權利要求7所述的AlGaN基深紫外發光二極管，其特征在于，所述p型AlGaN層為AlmGa1-mN，Al組分含量m的取值范圍為：ym1。
10.AlGaN基深紫外發光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(S1)選擇襯底；
(S2)于所述襯底表面形成一層單層的BN緩沖層；
(S3)于所述單層的BN緩沖層刻蝕圖案，形成單層圖形化BN緩沖層；
(S4)于所述單層圖形化BN緩沖層上外延生長n型AlGaN層；
(S5)于所述n型AlGaN層上外延生長AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱層，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱層作為活性區；以及
(S6)在所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱層活性區上沉積p-AlGaN材料，以于所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱層上形成p型AlGaN層。
11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述步驟(S1)中，所述襯底為藍寶石襯底、硅襯底、碳化硅襯底中的任一種。
12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述步驟(S2)中，通過化學氣相沉積法或物理氣相沉積法在所述襯底表面直接生長形成所述單層的BN緩沖層。
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