[發明專利]刻蝕機和改善刻蝕機不同刻蝕區工作環境差異的方法

有效

• 申請號: 202011049322.7
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112185810B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 白宇;丁奧博;孟艷秋
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司;上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/67
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請涉及半導體集成電路制造技術領域，具體涉及一種刻蝕機改善刻蝕機不同刻蝕區工作環境差異的方法。其中，方法包括以下步驟：預先判斷刻蝕機的后續工作是否為部分工作模式；確定刻蝕機的后續工作為部分工作模式時，目標晶片放置于部分刻蝕區中；放置有目標晶片的刻蝕區為目標刻蝕區，未放置有目標晶片的刻蝕區為閑置刻蝕區；選取模擬晶片放置于閑置刻蝕區中；在部分工作模式下，使得對目標刻蝕區的目標晶片，與，對閑置刻蝕區中的模擬晶片同步進行一致的刻蝕操作。刻蝕機用于執行該方法。本申請可以解決相關技術中，刻蝕機不同刻蝕區在不同工作情形，產生工作環境差異的問題。

技術領域

本申請涉及半導體集成電路制造技術領域，具體涉及一種刻蝕機和改善刻蝕機不同刻蝕區工作環境差異的方法。

背景技術

刻蝕工藝是半導體集成電路制造領域重要的一環，傳統刻蝕機的產量相對較低，現有的雙掃描刻蝕機是三層刻蝕中常用的一種機臺類型。該雙掃描刻蝕機的工作腔中有兩個刻蝕區，能夠分別對放置其中的晶片進行刻蝕，可以大幅度提高機臺的產量，降低機臺成本。

在使用該雙掃描刻蝕機對晶片進行刻蝕操作時，會出現兩個刻蝕區同時工作的情形，和，僅有一個刻蝕區單獨工作的情形，且此兩種不同的工作情形會交替進行。

但是，相關技術在進行僅有一個刻蝕區單獨工作的情形時，另一刻蝕區停止工作，因此，在刻蝕結束后兩個刻蝕區的環境產生差異。在此基礎上，若兩個刻蝕區開始同時工作，會使得兩個刻蝕區在同一工藝進程所刻蝕形成的圖案差別較大，導致晶片的誤差率增大。

發明內容

本申請提供了一種刻蝕機和改善刻蝕機不同刻蝕區工作環境差異的方法，可以解決相關技術中，刻蝕機不同刻蝕區在不同工作情形，產生工作環境差異的問題。

作為本申請的第一方面，提供一種改善刻蝕機不同刻蝕區工作環境差異的方法，所述刻蝕機的工作腔包括多個刻蝕區，所述方法包括以下步驟：

預先判斷所述刻蝕機的后續工作是否為部分工作模式；

確定所述刻蝕機的后續工作為部分工作模式時，目標晶片放置于部分刻蝕區中；放置有所述目標晶片的刻蝕區為目標刻蝕區，未放置有所述目標晶片的刻蝕區為閑置刻蝕區；

選取模擬晶片放置于閑置刻蝕區中；

在所述部分工作模式下，使得對所述目標刻蝕區的目標晶片，與，對所述閑置刻蝕區中的模擬晶片同步進行一致的刻蝕操作。

可選的，所述預先判斷所述刻蝕機的后續工作是否為部分工作模式的步驟，包括：

通過判斷所述刻蝕機各個刻蝕區中是否放置有目標晶片，確定所述刻蝕機的后續工作是否為部分工作模式；

若所述刻蝕機至少一個刻蝕區中未放置有所述目標晶片，確定所述刻蝕機的后續工作為部分工作模式。

可選的，在所述使得對所述目標刻蝕區的目標晶片，與，對所述閑置刻蝕區中的模擬晶片同步進行一致刻蝕操作的步驟結束后，從所述閑置刻蝕區中取出所述模擬晶片，從所述目標刻蝕區中取出所述目標晶片。

可選的，所述刻蝕機的工作腔有兩個刻蝕區時，所述預先判斷所述刻蝕機的后續工作是否為部分工作模式的步驟，包括：

預先判斷所述刻蝕機的后續工作是否為單區工作模式；

可選的，所述確定所述刻蝕機的后續工作為部分工作模式時，目標晶片放置于部分刻蝕區中的步驟，包括：

確定所述刻蝕機的后續工作為單區工作模式時，一目標晶片放置于一刻蝕區中；放置有目標晶片的刻蝕區為目標刻蝕區，另一刻蝕區為閑置刻蝕區。

可選的，所述目標晶片的圖層結構與所述模擬晶片的圖層結構一致。