[發明專利]硅片清洗添加劑、硅片清洗液及其應用

在審

• 申請號: 202011047317.2
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112143590A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 陳盼盼;于胤;楊勇;章圓圓
• 申請（專利權）人: 常州時創能源股份有限公司
• 主分類號: C11D7/26
• 分類號: C11D7/26;C11D7/32;C11D7/06;C11D7/08;C11D7/60;C11D3/37;C11D3/39;B08B3/08
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1.一種硅片清洗添加劑，其特征在于：所述清洗添加劑由以下質量份數的成份組成：螯合劑2～6份、表面活性劑0.1～0.5份、滲透劑0.5～2份、穩定劑2～5份、去離子水80～90份；所述螯合劑為金屬螯合劑，所述表面活性劑為非離子表面活性劑，所述滲透劑為聚乙二醇，所述穩定劑為陽離子聚合物。

2.根據權利要求1所述的硅片清洗添加劑，其特征在于：所述金屬螯合劑為聚乙烯亞胺和絲氨酸。

3.根據權利要求2所述的硅片清洗添加劑，其特征在于：所述聚乙烯亞胺的質量份數為1～3份，所述絲氨酸的質量份數為1～3份。

4.根據權利要求1所述的硅片清洗添加劑，其特征在于：所述非離子表面活性劑為丙三醇。

5.根據權利要求1所述的硅片清洗添加劑，其特征在于：所述陽離子聚合物為聚季銨鹽。

6.一種硅片清洗液，其特征在于：含有堿溶液或酸溶液，以及權利要求1-5任一項所述的硅片清洗添加劑；所述硅片清洗添加劑與堿溶液或酸溶液的質量比為1～2%。

7.根據權利要求6所述的硅片清洗液，其特征在于：所述堿溶液為質量百分比含量為4～10%的雙氧水和質量百分比含量為0.1～1%的氫氧化鈉混合的水溶液。

8.根據權利要求6所述的硅片清洗液，其特征在于：所述酸溶液為質量百分比含量為5～20%的氫氟酸和質量百分比含量為5～20%的鹽酸混合的水溶液。

9.一種硅片清洗方法，其特征在于：利用權利要求6-8任一項所述的硅片清洗液對硅片進行清洗。

10.根據權利要求9所述的硅片清洗方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）配制硅片清洗添加劑：將2～6質量份金屬螯合劑、0.1～0.5質量份非離子表面活性劑、0.5～2質量份聚乙二醇、2～5質量份陽離子聚合物加入到80～90質量份的去離子水中，混合均勻制得硅片清洗添加劑；

（2）配制硅片清洗液：將步驟（1）制得的硅片清洗添加劑按質量比1～2%加入到堿溶液中，混合均勻制得硅片清洗液；所述堿溶液為質量百分比含量為4～10%的雙氧水和質量百分比含量為0.1～1%的氫氧化鈉混合的水溶液；

（3）清洗硅片：將硅片投入步驟（2）制得的硅片清洗液中進行清洗，40～80℃清洗0.5～3min。

11.根據權利要求10所述的硅片清洗方法，其特征在于，步驟（1）中，所述金屬螯合劑為1～3質量份的聚乙烯亞胺和1～3質量份的絲氨酸；所述非離子表面活性劑為丙三醇；所述陽離子聚合物為聚季銨鹽。

12.根據權利要求10所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述步驟（2）和步驟（3）還可以是：

（2）配制硅片清洗液：將步驟（1）制得的硅片清洗添加劑按質量比1～2%加入到酸溶液中，混合均勻制得硅片清洗液；所述酸溶液為質量百分比含量為5～20%的氫氟酸和質量百分比含量為5～20%的鹽酸混合的水溶液；

（3）清洗硅片：將硅片投入步驟（2）制得的硅片清洗液中進行清洗，常溫清洗0.5～3min。