[發(fā)明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011047212.7
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN114334832A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設計）人: 胡建城
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;高德志

一種半導體結構及其形成方法，所述形成方法，包括：在基底上形成若干下電極，所述下電極包括沿垂直所述基底表面方向延伸的環(huán)狀壁和瓣狀壁，并且所述瓣狀壁將所述環(huán)狀壁內部分割成若干分立的第一開口；在所述第一開口的底部和側壁上形成介電層；在所述第一開口中形成上電極，所述介電層位于所述下電極和所述上電極之間。本發(fā)明的下電極包括環(huán)狀壁和瓣狀壁，使得下電極的表面積增大，后續(xù)在下電極上形成介電層和相應的上電極時，介電層和上電極的表面積也會相應的增大，從而增大了形成的半導體結構的電容值。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制作領域，尤其涉及一種半導體結構及其形成方法。

背景技術

動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是計算機中常用的半導體存儲器件，由許多重復的存儲單元組成。每個存儲單元通常包括電容器和晶體管，晶體管的柵極與字線相連、漏極與位線相連、源極與電容器相連，字線上的電壓信號能夠控制晶體管的打開或關閉，進而通過位線讀取存儲在電容器中的數據信息，或者通過位線將數據信息寫入到電容器中進行存儲。

隨著制程工藝持續(xù)演進，DRAM集成度不斷提高，元件尺寸不斷地微縮，電容器儲存電荷容量也面臨考驗。電容器的電容值亟待提升。

發(fā)明內容

本發(fā)明所要解決的技術問題是怎樣提高半導體結構的電容值。

本發(fā)明提供了一種半導體結構的形成方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成若干下電極，所述下電極包括沿垂直所述基底表面方向延伸的環(huán)狀壁和瓣狀壁，并且所述瓣狀壁將所述環(huán)狀壁內部分割成若干分立的第一開口；

在所述第一開口的底部和側壁上形成介電層；

在所述第一開口中形成上電極，所述介電層位于所述下電極和所述上電極之間。

可選的，所述在所述基底上形成若干所述下電極，包括：

在所述基底上形成第一導電層；

刻蝕所述第一導電層形成若干第一導電柱和所述第一導電柱之間的第二開口；

形成填充所述第二開口的第一介質層；

刻蝕所述第一導電柱形成所述環(huán)狀壁和第三開口；

在所述第三開口中填充第二導電層形成第二導電柱；

在所述第二導電柱上方形成暴露出部分所述第二導電柱的掩膜開口層；

利用所述掩膜開口層刻蝕所述第二導電柱形成所述瓣狀壁。

可選的，所述在所述第三開口中填充第二導電層形成第二導電柱之前，還包括：

在所述環(huán)狀壁的表面形成阻擋層。

可選的，所述掩膜開口層具有開口圖案，所述開口圖案暴露出相鄰的若干個所述第二導電柱的部分上表面。

可選的，所述第一導電柱和所述第二導電柱的中心軸重合。

可選的，所述開口圖案和所述第二導電柱的交疊區(qū)域的形狀和大小相同。

可選的，還包括：

在所述基底上形成接觸墊，所述接觸墊具有凸出所述基底表面的凸部；

所述環(huán)狀壁的下部包裹所述凸部的側壁。

可選的，還包括：

去除所述第一介質層；

在所述環(huán)狀壁的外壁和頂部表面形成所述介電層；