[發明專利]一種三維存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 202011046857.9
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112185967B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 張中;韓玉輝;孔翠翠;張坤
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

疊層結構，包括在垂直方向上交替堆疊的柵線層與隔離層；

虛設結構，沿垂直方向貫穿所述疊層結構，所述虛設結構包括第一虛設部與第二虛設部；

柵線縫隙，沿垂直方向貫穿所述疊層結構，所述柵線縫隙的一端伸入由所述第一虛設部與/或所述第二虛設部形成的間隙中，所述第一虛設部與所述第二虛設部中的至少一個與所述柵線縫隙在水平面上的投影部分重疊；

其中，所述三維存儲器還包括多晶硅層，所述疊層結構設于所述多晶硅層上，所述柵線縫隙的底部至少延伸至所述多晶硅層表面，所述虛設結構的底面低于所述柵線縫隙的底面。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于：在垂直于所述柵線縫隙的延伸方向上，所述虛設結構與所述柵線縫隙在水平面上的投影的重疊部分的寬度為M，所述柵線縫隙的寬度為N，其中，M0.1N。

3.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于：所述第一虛設部與所述第二虛設部之間獨立設置，所述間隙位于所述第一虛設部和所述第二虛設部之間。

4.根據權利要求3所述的三維存儲器，其特征在于：所述第一虛設部及所述第二虛設部沿所述柵線縫隙的延伸方向平行設置。

5.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于：所述間隙位于所述第一虛設部和所述第二虛設部之間，所述虛設結構還包括第三虛設部，所述第三虛設部位于所述間隙中并與所述第一虛設部及所述第二虛設部連接，且所述第三虛設部與所述柵線縫隙間隔預設距離。

6.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于：所述間隙分別位于所述第一虛設部圍成的區域以及所述第二虛設部圍成的區域，所述虛設結構還包括第三虛設部，所述第三虛設部位于所述第一虛設部及所述第二虛設部之間且分別與所述第一虛設部和所述第二虛設部連接，且所述第三虛設部與所述柵線縫隙間隔預設距離。

7.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于：所述間隙位于所述第一虛設部和所述第二虛設部之間，所述虛設結構還包括第三虛設部，所述第三虛設部連接于所述第一虛設部遠離所述柵線縫隙的一端及所述第二虛設部遠離所述柵線縫隙的一端，且所述第三虛設部與所述柵線縫隙間隔預設距離。

8.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于：所述三維存儲器包括在第一水平方向上由所述柵線縫隙將所述疊層結構進行劃分的多個區塊，所述區塊包括在第二水平方向上依次設置的第一核心區、臺階區及第二核心區，所述第一水平方向與所述第二水平方向相互垂直。

9.根據權利要求8所述的三維存儲器，其特征在于：多個區塊包括相鄰的第一區塊和第二區塊，所述柵線縫隙包括位于所述第一區塊與所述第二區塊之間且分別位于所述第一核心區和所述第二核心區的第一柵線縫隙和第二柵線縫隙，所述第一柵線縫隙朝向所述臺階區的一端連接有一所述虛設結構，所述第二柵線縫隙朝向所述臺階區的一端連接有一所述虛設結構。

10.根據權利要求9所述的三維存儲器，其特征在于：所述間隙位于所述第一虛設部和所述第二虛設部之間，所述虛設結構還包括第三虛設部，所述第三虛設部連接于所述第一虛設部遠離所述柵線縫隙的一端及所述第二虛設部遠離所述柵線縫隙的一端，且所述第三虛設部與所述柵線縫隙間隔預設距離。

11.根據權利要求9所述的三維存儲器，其特征在于：所述柵線縫隙包括位于所述第一區塊遠離所述第二區塊的一側的多條間隔的第三柵線縫隙以及位于所述第二區塊遠離所述第一區塊的一側的多條間隔的第四柵線縫隙，所述第三柵線縫隙和所述第四柵線縫隙位于所述臺階區，相鄰兩條所述第三柵線縫隙之間通過所述虛設結構連接；相鄰兩條所述第四柵線縫隙之間通過所述虛設結構連接。