[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011046580.X | 申請(qǐng)日: | 2020-09-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112186499A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉剛;劉洋;趙鴻;王文濤;呂坤鵬;陳三斌;王鋼;唐曉軍;劉磊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十一研究所 |
| 主分類號(hào): | H01S5/024 | 分類號(hào): | H01S5/024 |
| 代理公司: | 工業(yè)和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人: | 羅丹 |
| 地址: | 100015*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體激光器 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括激光器芯片(1)和冷卻器(2),所述激光器芯片(1)封裝在所述冷卻器(2)的第一外表面;
其中,所述冷卻器(2)內(nèi)封裝有相變材料(6),在半導(dǎo)體激光器處于異常工作狀態(tài)時(shí),所述相變材料(6)用于將所述激光器芯片(1)的溫度冷卻至預(yù)設(shè)安全溫度以下。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述冷卻器(2)內(nèi)還設(shè)置有微通道結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述相變材料(6)的熔化溫度高于所述激光器芯片(1)的正常工作溫度,且低于所述預(yù)設(shè)安全溫度。
4.如權(quán)利要求2任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述相變材料(6)封裝在所述微通道結(jié)構(gòu)通路之間,且與所述微通道結(jié)構(gòu)相互隔離。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述相變材料(6)為如下材料之一:結(jié)晶水合鹽、石蠟、脂肪酸、低熔點(diǎn)金屬和低熔點(diǎn)合金。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述冷卻器(2)還包括導(dǎo)熱肋(7),所述相變材料(6)封裝在所述冷卻器(2)內(nèi)所述導(dǎo)熱肋(7)形成的腔體中。
7.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述冷卻器(2)內(nèi)封裝的相變材料(6)的體積根據(jù)所述激光器芯片(1)的功率確定。
8.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述冷卻器(2)上開(kāi)設(shè)有封裝口,所述相變材料(6)在熔化狀態(tài)下通過(guò)所述封裝口充入所述冷卻器(2)內(nèi)。
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