[發(fā)明專利]一種用于化學(xué)氣相沉積鉆石的設(shè)備工藝反應(yīng)器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011046553.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112301332A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊庱明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海芯承電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/511 | 分類號(hào): | C23C16/511;C23C16/27;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 201403 上海市奉賢區(qū)金*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 化學(xué) 沉積 鉆石 設(shè)備 工藝 反應(yīng)器 | ||
本發(fā)明提供一種用于化學(xué)氣相沉積鉆石的設(shè)備工藝反應(yīng)器,包括機(jī)架;包括控制系統(tǒng)、左反應(yīng)室和右反應(yīng)室,所述控制系統(tǒng)位于機(jī)架內(nèi)部中間位置,所述控制系統(tǒng)包括兩個(gè)微波發(fā)生器、直流電源和系統(tǒng)控制器,所述兩個(gè)微波發(fā)生器均位于內(nèi)底部,所述直流電源為兩個(gè)微波發(fā)生器提供直流電,所述系統(tǒng)控制器分別與兩個(gè)微波發(fā)生器以及直流電源電性連接,所述系統(tǒng)控制器用于連通或斷開(kāi)直流電源與兩個(gè)微波發(fā)生器之間的電路,所述氣體供應(yīng)框供應(yīng)工藝過(guò)程中所需的氣體源,本發(fā)明采用化學(xué)氣相沉積CVD的方法制備合成金剛石,質(zhì)地與天然金剛石相同,且生產(chǎn)成本較低。
技術(shù)領(lǐng)域
本說(shuō)明書一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及合成金剛石加工領(lǐng)域,尤其涉及一種用于化學(xué)氣相沉積鉆石的設(shè)備工藝反應(yīng)器。
背景技術(shù)
在在不遠(yuǎn)的將來(lái),合成鉆石很可能取代天然鉆石,幾年前,業(yè)內(nèi)大多數(shù)人會(huì)嘲笑這種觀點(diǎn)。但是實(shí)際這種技術(shù)已經(jīng)存在多年了,但直到現(xiàn)在,它們才有需求的到實(shí)際應(yīng)用,盡管據(jù)說(shuō)天然鉆石仍占全球銷售鉆石的99%以上。即使是人工生產(chǎn)的鉆石,其銷量也不會(huì)超過(guò)天然鉆石,它們的市場(chǎng)份額也可能高于目前。據(jù)了解,今天售出的所有鉆石中,有四分之一是″血鉆″,是被壓迫的童奴隸開(kāi)采的鉆石,用于資助非洲許多國(guó)家的殘酷內(nèi)戰(zhàn),鑒于明顯的道德利益,我們努力生產(chǎn)同樣質(zhì)量的合成鉆石,但目前合成鉆石生產(chǎn)的工藝較為落后,依然無(wú)法達(dá)到天然鉆石的質(zhì)地,綜上所述,本申請(qǐng)現(xiàn)提出一種用于化學(xué)氣相沉積鉆石的設(shè)備工藝反應(yīng)器來(lái)解決上述出現(xiàn)的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本說(shuō)明書一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的目的在于提出一種用于化學(xué)氣相沉積鉆石的設(shè)備工藝反應(yīng)器,以解決背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。
基于上述目的,本說(shuō)明書一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例提供了一種用于化學(xué)氣相沉積鉆石的設(shè)備工藝反應(yīng)器,包括機(jī)架;包括控制系統(tǒng)、左反應(yīng)室和右反應(yīng)室,所述控制系統(tǒng)位于機(jī)架內(nèi)部中間位置,所述控制系統(tǒng)包括兩個(gè)微波發(fā)生器、直流電源、系統(tǒng)控制器和氣體供應(yīng)框,所述兩個(gè)微波發(fā)生器均位于內(nèi)底部,所述直流電源為兩個(gè)微波發(fā)生器提供直流電,所述系統(tǒng)控制器分別與兩個(gè)微波發(fā)生器以及直流電源電性連接,所述系統(tǒng)控制器用于連通或斷開(kāi)直流電源與兩個(gè)微波發(fā)生器之間的電路,所述氣體供應(yīng)框供應(yīng)工藝過(guò)程中所需的氣體源,所述左反應(yīng)室和右反應(yīng)室分別位于機(jī)架內(nèi)部左右兩側(cè),且左反應(yīng)室和右反應(yīng)室結(jié)構(gòu)相同,所述左反應(yīng)室包括金剛石反應(yīng)器、陰極組件、真空反應(yīng)堆、工藝氣體供應(yīng)框、微波磁控管頭和陰極反應(yīng)堆,所述金剛石反應(yīng)器頂部卡設(shè)
有上室蓋,所述金剛反應(yīng)器底部開(kāi)設(shè)有下室蓋,所述上室蓋頂部開(kāi)設(shè)有氣體入口,所述金剛石反應(yīng)器內(nèi)部設(shè)置有石英聚焦環(huán),所述石英聚焦環(huán)上開(kāi)設(shè)有工藝所需氣體源入口,所述陰極反應(yīng)堆與陰極組件通過(guò)連通管連通,且連通管上設(shè)置有匹配器,且匹配器的入口與陰極反應(yīng)堆連接,且陰極反應(yīng)堆通過(guò)波紋管與金剛石反應(yīng)堆連接,所述真空反應(yīng)堆通過(guò)真空歧管與金剛石反應(yīng)器內(nèi)部連接,所述工藝氣體供應(yīng)框設(shè)置在真空反應(yīng)堆底部,且工藝氣體供應(yīng)框通過(guò)管道與真空反應(yīng)堆內(nèi)部連接,所述微波磁控管頭通過(guò)微波導(dǎo)管與金剛石反應(yīng)器內(nèi)部連接,且微波磁控管頭與微波發(fā)生器連接。
優(yōu)選的,所述氣體入口上設(shè)置有天然氣及等離子氣體檢測(cè)器,且與系統(tǒng)顯示器連接。
優(yōu)選的,所述管道上設(shè)置有真空閥。
優(yōu)選的,所述管道上設(shè)置有閉環(huán)壓力控制節(jié)流閥。
優(yōu)選的,所述波紋導(dǎo)管與金剛石反應(yīng)器的連接處設(shè)置有微波調(diào)諧器。
優(yōu)選的,所述金剛石反應(yīng)器側(cè)面設(shè)置有微波石英窗,且微波石英窗頂部開(kāi)設(shè)有足板,所述足板設(shè)有冷卻水循環(huán)系統(tǒng),以確保足板保持恒溫狀態(tài)。
優(yōu)選的,所述波紋管為柔性不銹鋼波紋管。
優(yōu)選的,所述氣體入口的內(nèi)部設(shè)置有配氣盤。
優(yōu)選的,該工藝反應(yīng)器內(nèi)部的工藝制程反應(yīng)過(guò)程中,采用了非接觸式紅外測(cè)溫傳感器為主要控溫方法,且非接觸式紅外測(cè)溫傳感器、主控機(jī)臺(tái)的控制程序以及微波發(fā)生器形成一個(gè)對(duì)腔體內(nèi)等離子的溫度進(jìn)行閉環(huán)監(jiān)控。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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