[發明專利]一種KH2 在審
| 申請號： | 202011045463.1 | 申請日： | 2020-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN112213173A | 公開（公告）日： | 2021-01-12 |
| 發明（設計）人： | 王圣來;徐龍云;余波;劉慧;張力元;王波 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | G01N1/32 | 分類號： | G01N1/32 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人： | 楊磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 kh base sub | ||
1.一種在水溶液晶體表面產生清晰位錯蝕坑的方法，包括步驟如下：
將拋光后的水溶液晶體浸入到腐蝕液中，對晶體表面進行腐蝕，所述的腐蝕液為水-乙醇混合溶液，腐蝕液中水的質量含量為72～78％，對腐蝕后的晶體再次拋光，得到表面產生清晰位錯蝕坑的晶體。
2.根據權利要求1所述的在水溶液晶體表面產生清晰位錯蝕坑的方法，其特征在于，所述的腐蝕液和晶體兩者的溫差在2℃以內。
3.根據權利要求1所述的在水溶液晶體表面產生清晰位錯蝕坑的方法，其特征在于，晶體浸入時間為10～20s。
4.根據權利要求1所述的在水溶液晶體表面產生清晰位錯蝕坑的方法，其特征在于，腐蝕液中水的質量含量為74～76％，優選75％。
5.根據權利要求1所述的在水溶液晶體表面產生清晰位錯蝕坑的方法，其特征在于，拋光采用拋光液進行，所述的拋光液為對應的晶體腐蝕液。
6.根據權利要求1所述的在水溶液晶體表面產生清晰位錯蝕坑的方法，其特征在于，拋光操作在拋光機中進行。
7.根據權利要求6所述的在水溶液晶體表面產生清晰位錯蝕坑的方法，其特征在于，拋光機的轉速為120～200r/min。
8.根據權利要求1所述的在水溶液晶體表面產生清晰位錯蝕坑的方法，其特征在于，拋光時間為2～4s。
9.根據權利要求1所述的在水溶液晶體表面產生清晰位錯蝕坑的方法，其特征在于，所述的水溶液晶體為磷酸二氫鉀晶體(KDP晶體)或磷酸二氘鉀晶體(DKDP晶體)。
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