[發明專利]檢測器件及其制造方法、微電子元件的檢測方法

在審

• 申請號: 202011044273.8
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN112180228A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 張立震
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R31/28;G01J1/44;G01J1/42
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

本公開提供一種檢測器件及其制造方法、微電子元件的檢測方法，該檢測器件包括：襯底；呈陣列分布的多個微檢測單元，微檢測單元包括：偏轉電極和至少一個尋址電極，偏轉電極包括相對的兩端，相對的兩端能夠在尋址電極和偏轉電極所形成的電場力驅動下，繞一鉸接支點擺動，以使檢測端向靠近或遠離襯底的方向偏轉；向尋址電極上輸送第一驅動信號的第一信號線；向偏轉電極上輸送第二驅動信號的第二信號線，第一驅動信號和第二驅動信號用于使尋址電極與偏轉電極之間形成電場力；驅動電路結構層，形成于襯底上，并與第一信號線和第二信號線均電連接。本公開提供的檢測器件及其制造方法、微電子元件的檢測方法，能夠批量檢測微電子元件，提升良率。

技術領域

本公開涉及顯示技術領域，尤其涉及一種檢測器件及其制造方法、微電子元件的檢測方法。

背景技術

隨著科學技術的不斷進步，視覺資訊在人們的生活中的地位越來越重要，因而承載視覺資訊信息的平板顯示器件也在人們生活中占據了越來越重要的地位。Micro LED(微LED)技術，目前面臨相當多的技術挑戰，Micro LED制程的關鍵技術，包括電路驅動設計、色彩轉換方式、檢測設備及方法、晶圓波長的均勻度控制等，其中檢測設備及方法是目前提升良率的關鍵制程。

Micro LED在光刻步驟后，需要將LED芯片顆粒直接從藍寶石基板轉移到硅基板上，將LED芯片顆粒電極直接與基板相連；且每次轉移LED芯片顆粒量非常大，對轉移工藝的穩定性和精確度要求非常高。

在相關技術中，采用扎針式檢測方式對微LED芯片進行檢測，這種檢測方式會造成芯片的損傷。

發明內容

本公開實施例提供了一種檢測器件及其制造方法、微電子元件的檢測方法，能夠批量檢測微電子元件，提升良率。

本公開實施例所提供的技術方案如下：

一種檢測器件，用于檢測微電子元件，所述微電子元件包括陣列分布的多個微電子芯片；所述檢測器件包括：

襯底；

形成于所述襯底之上、并呈陣列分布的多個微檢測單元，每一所述微檢測單元包括：偏轉電極和至少一個尋址電極，所述偏轉電極包括相對的兩端，所述相對的兩端中一端為用于與所述微電子芯片接觸的檢測端，所述相對的兩端能夠在所述尋址電極和所述偏轉電極所形成的電場力驅動下，繞一鉸接支點擺動，以使所述檢測端向靠近或遠離所述襯底的方向偏轉，而與所述微電子芯片接觸或分離；

向所述尋址電極上輸送第一驅動信號的第一信號線；

向所述偏轉電極上輸送第二驅動信號的第二信號線，所述第一驅動信號和所述第二驅動信號用于使所述尋址電極與所述偏轉電極之間形成所述電場力；

及，用于控制所述第一信號線和所述第二信號線上驅動信號的驅動電路結構層，所述驅動電路結構層形成于所述襯底上，并與所述第一信號線和所述第二信號線均電連接。

示例性的，所述尋址電極與所述偏轉電極不同層設置，且所述尋址電極與所述偏轉電極的所述相對的兩端中至少一端在所述襯底上的正投影至少部分重合。

示例性的，每一所述微檢測單元包括至少兩個所述尋址電極，其中一個所述尋址電極與所述偏轉電極的所述第一端在所述襯底上的正投影至少部分重合，另一個所述尋址電極與所述偏轉電極的所述第二端在所述襯底上的正投影至少部分重合。

示例性的，每一所述尋址電極至少包括第一尋址電極塊和第二尋址電極塊，所述第一尋址電極塊和所述第二尋址電極塊分層設置、并在所述襯底上的正投影至少部分不重合，且所述第一尋址電極塊和所述第二尋址電極塊之間通過第一支撐結構連接。

示例性的，所述第一支撐結構包括形成于所述第一尋址電極塊和所述第二尋址電極塊之間的第一支撐柱。

示例性的，所述偏轉電極通過第二支撐結構支撐于所述襯底上；