[發明專利]一種帶有石墨烯散熱涂層的芯片封裝結構及其制備方法在審
| 申請號: | 202011043892.5 | 申請日: | 2020-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN112103259A | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 劉康樂;林建濤;劉浩 | 申請(專利權)人: | 東莞記憶存儲科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/373 | 分類號: | H01L23/373;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人: | 李瑩 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 帶有 石墨 散熱 涂層 芯片 封裝 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種帶有石墨烯散熱涂層的芯片封裝結構,其特征在于,包括依次層疊的第一石墨烯涂層、塑封膠層、芯片和基板,所述芯片與所述基板之間通過鍵合線電連接。
2.如權利要求1所述的帶有石墨烯散熱涂層的芯片封裝結構,其特征在于,還包括第二石墨烯涂層,所述第二石墨烯涂層位于所述塑封膠層的邊沿處。
3.如權利要求2所述的帶有石墨烯散熱涂層的芯片封裝結構,其特征在于,所述第一石墨烯涂層的邊沿與所述第二石墨烯涂層的邊沿連接;所述塑封膠層的邊沿與所述基板的邊沿密封連接。
4.如權利要求3所述的帶有石墨烯散熱涂層的芯片封裝結構,其特征在于,所述第二石墨烯涂層的遠離第一石墨烯涂層的邊沿到基板的距離為H,所述塑封膠層的厚度為A,其中,0.01mm≤HA。
5.如權利要求1至4任一所述的帶有石墨烯散熱涂層的芯片封裝結構,其特征在于,還包括DAF膜,所述DAF膜位于所述基板與所述芯片之間;所述基板為BT樹脂基板,所述BT樹脂基板的含有金屬的側面遠離所述芯片;所述塑封膠層由環氧樹脂材料制成。
6.一種帶有石墨烯散熱涂層的芯片封裝結構的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:將芯片固定在基板的一側面上;
S2:通過鍵合工藝,形成用于連接芯片與基板的鍵合線;
S3:在芯片的遠離基板的側面上進行塑封,烘烤成型后形成塑封膠層;
S4:在塑封膠層上涂布/印刷/噴涂/浸涂石墨烯油墨,固化成型后形成第一石墨烯涂層即得到帶有石墨烯散熱涂層的芯片封裝結構。
7.如權利要求6所述的帶有石墨烯散熱涂層的芯片封裝結構的制備方法,其特征在于,在所述步驟S1中,固定在基板上的芯片至少有一排,每排至少有兩個芯片;所述芯片由至少一個芯片單元構成;當芯片單元大于等于2個時,芯片單元以二維平鋪或三維堆疊的結構布局;在所述步驟S4中,形成第一石墨烯涂層后,沿著相鄰兩芯片之間的中心連線的中垂線切割即得到帶有石墨烯散熱涂層的芯片封裝結構。
8.如權利要求7所述的帶有石墨烯散熱涂層的芯片封裝結構的制備方法,其特征在于,在執行所述步驟S4前,還沿著所述中垂線的位置在所述塑封膠層上開設凹槽。
9.如權利要求6至8任一所述的帶有石墨烯散熱涂層的芯片封裝結構的制備方法,其特征在于,在所述步驟S1中,使用DAF膜將芯片貼合在基板上,然后在145-155℃條件下烘烤50-70min進行固化。
10.如權利要求6至8任一所述的帶有石墨烯散熱涂層的芯片封裝結構的制備方法,其特征在于,在所述步驟S3中,烘烤成型條件為:在170-180℃條件下烘烤固化90-110s。
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