[發(fā)明專利]一種LED產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011043336.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112086546A | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 申鳳儀;申廣 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 申廣 |
| 主分類號(hào): | H01L33/38 | 分類號(hào): | H01L33/38;H01L33/52;H01L33/62;H01L25/075;H01L33/00 |
| 代理公司: | 蘇州中合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32266 | 代理人: | 阮梅 |
| 地址: | 116000 遼寧省大*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 led 產(chǎn)品 封裝 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種LED產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:包括多個(gè)LED芯片、與多個(gè)LED芯片緊密結(jié)合為一體的封裝樹脂、芯片電極層及外圍電路層,所述封裝樹脂不覆蓋LED芯片電極面,芯片電極層與外圍電路層電連接并為一體成型結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種LED產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述芯片電極層包括P電極層和N電極層,所述外圍電路層包括P電極電路和N電極電路,P電極層與對(duì)應(yīng)的P電極電路電連接并一體成型,N電極層與對(duì)應(yīng)的N電極電路電連接并一體成型,P電極電路與N電極電路之間絕緣設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種LED產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述外圍電路層懸空或直接分布于封裝樹脂上。
4.一種LED產(chǎn)品封裝方法,其特征在于:依次包括以下步驟:
①將多個(gè)LED芯片間隔分布貼附于表面膜上,LED芯片的電極面與表面膜緊密結(jié)合;
②在多個(gè)LED芯片之間填充封裝樹脂,封裝樹脂固化后與多個(gè)LED芯片緊密結(jié)合為一體;
③剝離表面膜,形成LED芯片與封裝樹脂的封裝體;
④采用增材制造方式在多個(gè)LED芯片的電極面形成金屬種子層;
⑤通過(guò)圖形電鍍的方式將金屬種子層需要保留的芯片電極區(qū)域和外圍電路區(qū)域進(jìn)行金屬電鍍?cè)龊裥纬尚酒姌O層與外圍電路層,同時(shí)實(shí)現(xiàn)芯片電極層與外圍電路層的電連接;
⑥通過(guò)快速金屬化學(xué)腐蝕將未經(jīng)電鍍?cè)龊駞^(qū)域的金屬種子層腐蝕掉,即完成LED產(chǎn)品封裝。
5.如權(quán)利要求4所述的一種LED產(chǎn)品封裝方法,其特征在于:在步驟④得到的產(chǎn)品的金屬種子層表面涂覆感光材料層,并經(jīng)曝光、顯影工藝,將需要保留的芯片電極區(qū)域和外圍電路區(qū)域裸露出來(lái),然后再進(jìn)行步驟⑤工藝,并在步驟⑤工藝完成后,去除感光材料層。
6.如權(quán)利要求4所述的一種LED產(chǎn)品封裝方法,其特征在于:所述表面膜采用膠帶。
7.如權(quán)利要求4所述的一種LED產(chǎn)品封裝方法,其特征在于:所述封裝樹脂采用環(huán)氧樹脂、硅膠、PI、PE或PT樹脂中的一種或多種。
8.如權(quán)利要求4所述的一種LED產(chǎn)品封裝方法,其特征在于:所述步驟②中,封裝樹脂在60-160度溫度下固化。
9.如權(quán)利要求4所述的一種LED產(chǎn)品封裝方法,其特征在于:所述步驟④中金屬種子層采用化學(xué)金屬沉積、金屬蒸發(fā)或金屬濺射方法形成,金屬種子層厚度為1-3微米;步驟⑤中金屬電鍍?cè)龊窈穸葹?-500微米。
10.如權(quán)利要求4所述的一種LED產(chǎn)品封裝方法,其特征在于:對(duì)于P電極、N電極位于同側(cè)的LED芯片,在P電極電路與N電極電路交叉處設(shè)置絕緣隔層。
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