[發明專利]一種半導體器件的制備方法、半導體結構

有效

• 申請號: 202011041418.9
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN112164697B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 毛格;宋銳;呂術亮;熊攀;李遠
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 楊麗爽

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底上形成氮化鈦層；

利用氮氣或氨氣等離子體清洗所述氮化鈦層的表面，以對所述氮化鈦層進行氮化處理，以使得所述氮化鈦層在(111)晶面的末端鍵為N鍵；

在所述氮化鈦層上形成導電層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述導電層為金屬鎢層，

所述在所述氮化鈦層上形成導電層，包括：

利用沉積工藝形成金屬鎢層，沉積工藝采用的氣體包括：六氟化鎢和乙硼烷。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述金屬鎢層包括：鎢成核層和鎢體層；

所述在所述氮化鈦層上形成導電層包括：

在所述氮化鈦層上形成鎢成核層；

在所述鎢成核層上形成鎢體層；

所述鎢成核層的沉積速率小于所述鎢體層的沉積速率。

4.根據權利要求1-3任意一項所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成氮化鈦層包括：

利用原子層沉積工藝在所述襯底上形成氮化鈦層。

5.根據權利要求1-3任意一項所述的方法，其特征在于，所述襯底上形成有堆疊層，所述堆疊層包括交替層疊的絕緣層和犧牲層；

所述在所述襯底上形成氮化鈦層之前，還包括：

去除所述犧牲層，形成鏤空結構；

所述在所述襯底上形成氮化鈦層包括：

在所述絕緣層表面形成氮化鈦層；

所述在所述氮化鈦層上形成導電層包括：

填充所述鏤空結構，形成柵極層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述氮化鈦層進行氮化處理的時間小于60s。

7.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上形成有氮化鈦層，所述氮化鈦層在(111)晶面的末端鍵為N鍵；

所述氮化鈦層上形成有導電層。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述導電層為金屬鎢層。

9.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構為3D存儲器，所述襯底上形成有交替層疊的絕緣層和所述導電層，所述導電層之間形成有所述氮化鈦層，其中，所述導電層為柵極層。