[發明專利]陣列基板以及顯示裝置

在審

• 申請號: 202011041394.7
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN112068376A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 付興凱;肖鋒;楊桂冬;劉永;陳盈惠;王國志;朱偉;史欣坪;向旭;八木敏文
• 申請（專利權）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;臧建明

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

數據線；

柵極掃描線；

第一像素電極，位于所述柵極掃描線的第一側；

第一薄膜晶體管，具有第一導電溝道；

第二像素電極，位于所述柵極掃描線的第二側，所述柵極掃描線的第二側位于所述柵極掃描線的第一側的相反方向；

第二薄膜晶體管，具有第二導電溝道；

所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第一像素電極電連接，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述柵極掃描線電連接；

所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二像素電極電連接，所述第二薄膜晶體管的柵極與所述柵極掃描線電連接；

所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管位于所述第一像素電極和第二像素電極之間，并且所述第一導電溝道的寬長比大于所述第二導電溝道的寬長比。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導電溝道的寬長比為所述第二導電溝道的寬長比的1.5倍-2倍。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導電溝道的寬長比為所述第二導電溝道的寬長比的1.75倍-1.85倍。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導電溝道和所述第二導電溝道形成于同一有源區內。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導電溝道在所述第一導電溝道的寬度方向的投影位于所述第一導電溝道內。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導電溝道沿其寬度方向的兩條側邊與所述第一導電溝道沿其寬度方向的兩條側邊之間具有預設間距。

7.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導電溝道沿其寬度方向的一條側邊與所述第一導電溝道沿其寬度方向的一條側邊對齊。

8.根據權利要求1-7任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管共用同一源極。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極掃描線控制所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管同步打開，所述數據線對所述第一像素電極和第二像素電極同時充電，使得所述第一像素電極具有第一電壓，所述第二像素電極具有第二電壓；

所述第一電壓和所述第二電壓差值的絕對值在0V-2V。

10.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，在最高顯示灰階時，所述第一電壓和所述第二電壓的差值的絕對值穩定在1.5V-2V。

11.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電壓和所述第二電壓的差值的絕對值，與，所述第一導電溝道的寬長比與所述第二導電溝道的寬長比的比值正相關。

12.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的漏極往平行于所述柵極掃描線的延伸方向延伸，所述源極位于所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的漏極之間、且所述源極平行于所述柵極掃描線；或，

所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的漏極往垂直于所述柵極掃描線的方向延伸，并且所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的漏極往相反的方向延伸，至少部分所述源極位于所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二漏極薄膜晶體管的之間、且所述源極垂直于所述柵極掃描線。

13.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述源極包括第一段、第二段以及與所述第一段和第二段均連接的第三段；

所述第一漏極設于所述第一段和第二段之間，所述第二段設于所述第二漏極和第一漏極之間。

14.一種顯示裝置，其特征在于，包括殼體以及如權利要求1-13任一項所述的陣列基板。