[發明專利]一種LED芯片測試驅動電路、制作方法及芯片測試方法

在審

• 申請號: 202011041118.0
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN112201646A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 申鳳儀;申廣
• 申請（專利權）人: 申廣
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 蘇州中合知識產權代理事務所(普通合伙) 32266
• 代理人: 阮梅

1.一種LED芯片測試驅動電路，其特征在于：設置于LED晶圓上，LED晶圓上分布有制作完成的LED芯片陣列，LED芯片測試電路包括若干P電極層、若干N電極層、若干P電極電路及若干N電極電路，P電極層復合于各LED芯片的P電極上并與P電極電連接，N電極層復合于各LED芯片的N電極上并與N電極電連接，P電極電路與LED芯片陣列中同一列的LED芯片對應的若干P電極層電連接、用于將整列LED芯片的P電極電連接并引出統一接線端，N電極電路與LED芯片陣列中同一行的LED芯片對應的若干N電極層電連接、用于將整行LED芯片的N電極電連接并引出統一接線端，P電極電路與N電極電路之間絕緣設置。

2.如權利要求1所述的一種LED芯片測試驅動電路，其特征在于：所述P電極層與P電極電路一體成型，N電極層與N電極電路一體成型。

3.如權利要求1所述的一種LED芯片測試驅動電路，其特征在于：所述P電極電路與N電極電路之間通過設置絕緣層或形成一定間隙絕緣設置。

4.一種LED芯片測試驅動電路制作方法，其特征在于：依次包括以下步驟：

①在完成LED芯片制作的LED晶圓上通過涂覆感光膠、曝光、顯影工藝，顯影出LED芯片的P電極和P電極電路區域；

②在步驟①得到的產品表面鍍膜第一金屬層，并去除顯影區域以外部分的第一金屬層；

③去除步驟②得到的產品上的感光膠；

④在步驟③得到的產品表面通過涂覆感光膠、曝光、顯影工藝，顯影出LED芯片的N電極和N電極電路區域；

⑤在步驟④得到的產品表面鍍膜第二金屬層，并去除顯影區域以外部分的第二金屬層；即完成LED芯片測試驅動電路的制作。

5.如權利要求4所述的一種LED芯片測試驅動電路制作方法，其特征在于：所述步驟①中，先在完成LED芯片制作的LED晶圓上涂覆感光膠，使用光罩將LED芯片P電極對應區域曝光，然后顯影露出LED芯片P電極；再次涂覆感光膠，使用光罩將LED芯片P電極對應區域和P電極電路區域曝光，然后顯影露出LED芯片P電極和P電極電路區域。

6.如權利要求4所述的一種LED芯片測試驅動電路制作方法，其特征在于：所述步驟④中，先在步驟③得到的產品表面涂覆感光膠，使用光罩將LED芯片N電極對應區域曝光，然后顯影露出LED芯片N電極；然后再次涂覆感光膠，使用光罩將LED芯片N電極對應區域和N電極電路區域曝光，然后顯影露出LED芯片N電極和N電極電路區域。

7.如權利要求4所述的一種LED芯片測試驅動電路制作方法，其特征在于：所述鍍膜第一金屬層、鍍膜第二金屬層采用蒸鍍鍍膜或濺射鍍膜工藝。

8.如權利要求4所述的一種LED芯片測試驅動電路制作方法，其特征在于：所述步驟③中，通過將步驟②得到的產品置入去膠劑中去除感光膠。

9.如權利要求4所述的一種LED芯片測試驅動電路制作方法，其特征在于：對于P電極、N電極位于同側的LED芯片，在步驟⑤工藝前，在步驟④得到的產品的P電極電路與N電極電路交叉處設置絕緣隔層。

10.一種LED芯片測試方法，其特征在于：包括有如下步驟：

a.在完成LED芯片制作的LED晶圓上通過權利要求4至9任一所述的LED芯片測試驅動電路制作方法制作LED芯片測試驅動電路；

b.通過LED芯片測試驅動電路外接無源選址驅動掃描電信號、以無源選址驅動模式逐點測試LED晶圓上的待測試LED芯片，即將LED芯片陣列中每一列的LED芯片的P電極通過統一接線端連接到列掃描線，將LED芯片陣列中每一行的LED芯片的N電極通過統一接線端連接到行掃描線，一列掃描線、一行掃描線同時選通，對應LED芯片陣列中一LED芯片的光、電性能測試，逐點掃描即可實現LED芯片陣列中所有LED芯片的測試；

c.測試完成后，將LED芯片測試驅動電路從LED晶圓上去除。