[發(fā)明專利]一種適用于太赫茲單片集成的全鏤空空氣橋二極管在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011040428.0 | 申請日： | 2020-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN112086505A | 公開（公告）日： | 2020-12-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張勇;吳成凱;張博;徐躍杭 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 成都虹盛匯泉專利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王偉 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 適用于 赫茲 單片 集成 鏤空 空氣 二極管 | ||
1.一種適用于太赫茲單片集成的全鏤空空氣橋二極管，其特征在于，包括單片襯底(1)，以及布置于單片襯底(1)上的平面肖特基二極管，所述平面肖特基二極管包括陽極臺面(2)、陰極臺面(3)和陽極橋指(5)，所述陰極臺面(3)上布置有肖特基接觸(4)，所述肖特基接觸(4)通過陽極橋指(5)連接至陽極臺面(2)，所述單片襯底(1)設置有位于陽極橋指(5)正下方且貫穿單片襯底(1)兩面的襯底鏤空結構(6)。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種適用于太赫茲單片集成的全鏤空空氣橋二極管，其特征在于，所述襯底鏤空結構(6)為規(guī)則形狀，所述規(guī)則形狀包括但不限于球體、橢球體、方體、多邊形柱體。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種適用于太赫茲單片集成的全鏤空空氣橋二極管，其特征在于，所述襯底鏤空結構(6)為長方體狀，所述襯底鏤空結構(6)在單片襯底(1)的截面上形成長方形。
4.根據(jù)權利要求3所述的一種適用于太赫茲單片集成的全鏤空空氣橋二極管，其特征在于，所述襯底鏤空結構(6)的寬度等于陽極臺面(2)和陰極臺面(3)之間的距離。
5.根據(jù)權利要求3所述的一種適用于太赫茲單片集成的全鏤空空氣橋二極管，其特征在于，所述襯底鏤空結構(6)的長度大于陽極臺面(2)和陰極臺面(3)的寬度。
6.根據(jù)權利要求4或5所述的一種適用于太赫茲單片集成的全鏤空空氣橋二極管，其特征在于，所述襯底鏤空結構(6)通過單片工藝中常用的濕法刻蝕或者干法刻蝕制得。
7.根據(jù)權利要求2所述的一種適用于太赫茲單片集成的全鏤空空氣橋二極管，其特征在于，所述單片襯底(1)為GaAs或InP。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
