[發明專利]集成組合件及形成集成組合件的方法

在審

• 申請號: 202011039795.9
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN112951826A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: N·考希克;F·A·席賽克-艾吉;D·C·潘迪
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及集成組合件及形成集成組合件的方法。一些實施例包含集成組合件，所述集成組合件具有存儲器陣列且具有沿著第一方向延伸穿過所述存儲器陣列的數字線。絕緣間隔件沿著所述數字線的側壁。所述絕緣間隔件沿著所述數字線連續地延伸穿過所述存儲器陣列。導電區域通過介入區域與所述數字線橫向地間隔開。所述導電區域被配置為沿著所述第一方向彼此間隔開的分段。所述介入區域包含所述絕緣間隔件的區域且包含鄰近所述絕緣間隔件的所述區域的空隙區域。所述空隙區域被配置為沿著所述第一方向通過絕緣結構彼此間隔開的空隙區域分段。存儲元件與所述導電區域相關聯。一些實施例包含形成集成組合件的方法。

技術領域

集成組合件(例如，DRAM)。在數字線與導電結構之間具有空隙區域的集成組合件。形成集成組合件的方法。

背景技術

存儲器是一種類型的集成電路，且在計算機系統中用于存儲數據。實例性存儲器是DRAM(動態隨機存取存儲器)。DRAM單元可各自包括與電容器組合的晶體管。DRAM單元可布置在陣列中；其中字線沿著陣列的行延伸，且其中數字線沿著陣列的列延伸。所述字線可與存儲器單元的晶體管耦合。每一存儲器單元可通過字線中的一者與位線中的一者的組合唯一地尋址。

DRAM架構可具有耦合到作用區域的部分的數字線，且可具有與延伸到作用區域的其它部分的互連件耦合的電容器。所述互連件可接近于數字線，且寄生電容可有問題地出現在互連件與數字線之間。將期望開發出減輕或甚至完全防止此寄生電容的架構；且開發出形成此些架構的方法。

發明內容

本發明的方面提供一種集成組合件，其中所述集成組合件包括：數字線，其沿著第一方向延伸；所述數字線中的每一者具有擁有第一垂直厚度的含金屬區域；空隙區域，其鄰近所述數字線且通過絕緣間隔件與所述數字線間隔開；所述空隙區域具有為所述第一垂直厚度至少約兩倍大的第二垂直厚度；導電區域，其通過包括所述空隙區域的介入區域與所述數字線橫向地間隔開；及存儲元件，其與所述導電區域相關聯。

本發明的另一方面提供一種集成組合件，其中所述集成組合件包括：存儲器陣列；數字線，其沿著第一方向延伸穿過所述存儲器陣列；絕緣間隔件，其沿著所述數字線的側壁；所述絕緣間隔件沿著所述數字線連續地延伸穿過所述存儲器陣列；導電區域，其通過介入區域與所述數字線橫向地間隔開；所述導電區域被配置為沿著所述第一方向彼此間隔開的分段；所述介入區域包含所述絕緣間隔件的區域且包含鄰近所述絕緣間隔件的所述區域的空隙區域；所述空隙區域被配置為沿著所述第一方向通過絕緣結構彼此間隔開的空隙區域分段；及存儲元件，其與所述導電區域相關聯。

本發明的另一方面提供一種形成集成組合件的方法，其中所述方法包括：形成包含沿著橫截面通過間隔區域彼此間隔開的一對數字線的構造；所述數字線中的每一者具有頂部表面及從所述頂部表面向下延伸的一對相對側壁表面；所述構造包含在所述頂部表面上方的第一絕緣材料；所述第一絕緣材料與數字線一起形成沿著垂直于所述橫截面的第一方向延伸的梁；所述梁具有側壁表面；所述數字線具有含金屬區域；所述構造包含在所述數字線的所述含金屬區域下面且在所述間隔區域內的存儲元件觸點；沿著所述側壁表面形成軌；所述軌中的每一者包括夾置在一對面板之間的膜，且包括在所述膜及所述面板上方的絕緣帽蓋；所述對面板為接近所述數字線的所述側壁表面中的一者的內部面板及在所述膜的與所述內部面板相對的側上的外部面板；蝕刻到所述外部面板中以暴露所述膜；所述蝕刻是在遠離所述橫截面的一或多個區域中進行；在所述蝕刻之后，所述軌保留沿著所述膜的所述橫截面在所述面板的所述對之間且在所述絕緣帽蓋下方的配置；移除所述膜中的至少一些膜以沿著所述橫截面在所述軌內留下空隙；所述軌內的所述空隙沿著所述橫截面在所述軌的所述面板之間且在所述軌的所述絕緣帽蓋下方；暴露所述存儲元件觸點；及形成在所述存儲元件觸點上方且與所述存儲元件觸點耦合的存儲元件。

附圖說明