[發明專利]一種LCP封裝基板、制造方法及多芯片系統級封裝結構有效
| 申請號: | 202011039689.0 | 申請日: | 2020-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN112349694B | 公開(公告)日: | 2022-05-17 |
| 發明(設計)人: | 戴廣乾;邊方勝;徐諾心;張柳;肖嵐;董東;潘玉華;林玉敏;匡波;王棟 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第二十九研究所 |
| 主分類號: | H01L23/538 | 分類號: | H01L23/538;H01L23/498;H01L23/552;H05K1/09;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214 | 代理人: | 徐靜 |
| 地址: | 610036 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 lcp 封裝 制造 方法 芯片 系統 結構 | ||
1.一種LCP封裝基板,其特征在于,包括:
從表面至底面分布的n層圖形化金屬線路層,依次為第一層圖形化金屬線路層、第二層圖形化金屬線路層、…、第n層圖形化金屬線路層;所述第一層圖形化金屬線路層的最外圍至少一條邊上,分布有所述LCP封裝基板對外二次級聯I/O焊接用焊盤或圖形;
位于相鄰圖形化金屬線路層之間的n-1層絕緣介質層;第一層圖形化金屬線路層和第二層圖形化金屬線路層之間的絕緣介質層,由LCP基板和LCP粘接膜構成,所述LCP粘接膜熔點比LCP基板低;第二層圖形化金屬線路層至第n層圖形化金屬線路層之間的絕緣介質層為非LCP材料基板,所述非LCP材料基板的熱裂解溫度高于LCP粘接膜的熔點;
位于第一層圖形化金屬線路層和第二層圖形化金屬線路層之間的絕緣介質層中,且開口朝向所述第一層圖形化金屬線路層的多個盲槽;
貫穿并連接相鄰圖形化金屬線路層的多個盲孔,其中有若干盲孔分布在所述對外二次級聯I/O焊接用焊盤或圖形上;
所述第一層圖形化金屬線路層包括在最外圍的對外二次級聯I/O焊接用焊盤或圖形,內側的環繞金屬層,以及在環繞金屬層內側的多組芯片I/O焊接及信號傳輸線路層,每組芯片I/O焊接及信號傳輸線路層的形狀為矩形或異形的孤島,且每組芯片I/O焊接及信號傳輸線路層經一個電絕緣區域與環繞金屬層相接;該環繞金屬層的電學屬性為接地層、工藝屬性為氣密焊接層;所述第一層圖形化金屬線路層上表面依次設有涂覆層和上表面阻焊層;所述涂覆層覆蓋所述對外二次級聯I/O焊接用焊盤或圖形、環繞金屬層和每組芯片I/O焊接及信號傳輸線路層;所述上表面阻焊層包括第一環繞阻焊層和多個第二環繞阻焊層,其中,每個第二環繞阻焊層對應圍繞每個電絕緣區域,所述第一環繞阻焊層圍繞所有第二環繞阻焊層;
每組芯片I/O焊接及信號傳輸線路層內,包含芯片I/O焊盤及信號傳輸線路,以及一個或多個盲槽;每組芯片I/O焊接及信號傳輸用線路層內信號的傳輸,通過該組芯片I/O焊接及信號傳輸用線路層內的芯片I/O焊盤及信號傳輸線路,或者經由各層盲孔及下層圖形化金屬線路層中對應部分共同完成;兩組及以上芯片I/O焊接及信號傳輸層之間,以及多組芯片I/O焊接及信號傳輸層與對外二次級聯I/O焊接用焊盤或圖形之間的信號傳輸,由各層盲孔及下層圖形化金屬線路層中對應部分共同完成。
2.根據權利要求1所述的LCP封裝基板,其特征在于,所述LCP粘接膜的熔點比LCP基板的熔點低10~60℃。
3.根據權利要求1所述的LCP封裝基板,其特征在于,所述盲槽底部為第二層圖形化金屬線路層中的大面積金屬接地層,并具有涂覆層;所述盲槽在第一層圖形化金屬線路層的開口周圍是芯片I/O焊盤或圖形;所述盲槽的數量和大小根據安裝芯片的數量和大小確定。
4.根據權利要求1所述的LCP封裝基板,其特征在于,所有盲孔并且在垂直方向上對正或錯排堆疊,用于實現n層圖形化金屬線路層中任意層互聯要求;每個盲孔的直徑大小相同,且盲孔深徑比≤1,盲孔內填充實心電鍍銅。
5.根據權利要求1所述的LCP封裝基板,其特征在于,所述第n層圖形化金屬線路層的工藝屬性和電學屬性為大面積金屬地層。
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