[發明專利]像素結構及其制備方法有效
| 申請號: | 202011039667.4 | 申請日: | 2020-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN112133732B | 公開(公告)日: | 2022-10-28 |
| 發明(設計)人: | 李哲 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505 | 代理人: | 李浩 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種像素結構,其特征在于,包括:呈陣列排布的多個像素單元,每個所述像素單元包括:沿陣列排布的對角線方向排列的第一子像素、第二子像素和第三子像素;
其中,同一行的兩個相鄰的所述像素單元對稱設置,同一列的兩個相鄰的所述像素單元對稱設置,每個所述第一子像素和每個所述第三子像素為四個所述像素單元共用;
其中,所述第二子像素的形狀與所述對角線方向上相鄰的所述第一子像素和所述第三子像素之間的間隙區域的形狀相適配;
其中,所述第二子像素的與所述第一子像素和所述第三子像素相鄰的兩條邊的中點連線的第一中點位于所述第一子像素和所述第三子像素的與所述第二子像素相鄰的邊的中點連線的第一中垂線上;在每個所述像素單元中,所述第一子像素的兩條對角線延長線與所述第三子像素的兩條對角線構成一個正方形輪廓,所述第一中垂線在所述正方形輪廓的部分形成第一中垂線段;其中,位于兩行兩列上的相鄰的四個所述像素單元構成一個像素組,所述像素組中的兩個所述第一子像素的中心點和兩個第三子像素的中心點構成一個菱形輪廓,在所述第一中垂線上,所述第一中點位于所述第一中垂線段的中點向所述菱形輪廓的幾何中心一側移第一位移的偏移點處。
2.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于,所述第一子像素和所述第三子像素的形狀為正方形,所述第一子像素在所述正方形輪廓形成第一等腰三角形,所述第三子像素在所述正方形輪廓形成第二等腰三角形,所述第一等腰三角形的腰長與所述第二子像素靠近所述第一子像素一側的非發光區的寬度的一半寬度的根號2倍的長度構成第一參考線段;所述第二等腰三角形的腰長與所述第二子像素靠近所述第三子像素一側的非發光區的寬度的一半寬度的根號2倍的長度構成第二參考線段;所述第一參考線段和所述第二參考線段均小于所述正方形輪廓的邊長,所述第二子像素的形狀為平行六邊形;
所述第一子像素的邊長與所述第三子像素的邊長均小于所述正方形輪廓的對角線長度,所述第二子像素的形狀為平行六邊形。
3.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于,所述第一子像素和所述第三子像素的形狀為正方形,所述第一子像素在所述正方形輪廓形成第一等腰三角形,所述第三子像素在所述正方形輪廓形成第二等腰三角形,所述第一等腰三角形的腰長與所述第二子像素靠近所述第一子像素一側的非發光區的寬度的一半寬度的根號2倍的長度構成第一參考線段;所述第二等腰三角形的腰長與所述第三子像素靠近所述第二子像素一側的非發光區的寬度的一半寬度的根號2倍的長度構成第二參考線段;所述第一參考線段或所述第二參考線段大于等于所述正方形輪廓的邊長,所述第二子像素的形狀為等腰梯形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





