[發明專利]一種探測器及制作工藝在審
| 申請號： | 202011039425.5 | 申請日： | 2020-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN112201714A | 公開（公告）日： | 2021-01-08 |
| 發明（設計）人： | 崔積適;王娟;崔文靜;陳洪敏 | 申請（專利權）人： | 三明學院 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廈門智慧呈睿知識產權代理事務所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 楊唯 |
| 地址： | 365000 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 探測器 制作 工藝 | ||
1.一種探測器，其特征在于，包括：
波導層；所述波導層包括相互隔斷的第一本征區和第二本征區、與所述第一本征區相連的N型區、與所述第二本征區相連的P型區；
電極；包括陽極和陰極；所述陽極設置在所述P型區上，所述陰極設置在所述N型區上；
絕緣層；設置于所述陰極與所述第一本征區、所述陽極與所述第二本征區以及所述第一本征區和第二本征區之間，并覆蓋所述波導層。
2.根據權利要求1所述的一種探測器，其特征在于，所述絕緣層為二氧化硅。
3.根據權利要求1所述的一種探測器，其特征在于，所述絕緣層通過外延形成。
4.根據權利要求1所述的一種探測器，其特征在于，所述第一本征區和第二本征區之間的間隙為5-20納米。
5.根據權利要求1所述的一種探測器，其特征在于，所述P型區和N型區之間的距離為600納米。
6.根據權利要求1所述的一種探測器，其特征在于，所述第一本征區與所述第二本征區的材質為缺陷硅。
7.一種如權利要求1至6任意一項所述的探測器的制作工藝，其特征在于，包括：
準備SOI襯底；
在所述SOI襯底上刻蝕生成本征硅，并將所述本征硅隔斷，形成互不相連的第一本征硅和第二本征硅；
在所述第一本征硅和所述第二本征硅的側部進行摻雜，形成與所述第一本征硅相連的N型區、及與所述第二本征硅相連的P型區，將陽極設置在N型區上，將陰極設置在P型區上；
對所述第一本征硅和所述第二本征硅進行離子注入以形成第一缺陷硅和第二缺陷硅；
用絕緣覆蓋整個器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
