[發明專利]一種單光子雪崩二極管檢測器

在審

• 申請號: 202011039380.1
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN114284376A
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 雷述宇
• 申請（專利權）人: 寧波飛芯電子科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/107
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種單光子雪崩二極管(SPAD)檢測器，其特征在于，所述SPAD檢測器包括：具有體區域的半導體襯底；以及具有所述體區域的半導體襯底；

在半導體襯底的主體區域上的至少一個SPAD，該SPAD具有有第一導電類型的第一區域、第二導電類型的第二區域和雪崩區域，所述第二導電類型與所述第一導電類型不同，所述雪崩區域夾在所述第一區域與所述第二區域之間，且該SPAD具有至少兩個在縱向上深度不同的雪崩區域。

2.根據權利要求1所述的單光子雪崩二極管(SPAD)檢測器，其特征在于，所述的至少兩個雪崩區域在與縱向方向有夾角的方向上延伸。

3.根據權利要求2所述的單光子雪崩二極管(SPAD)檢測器，其特征在于，所述的至少兩個雪崩區域在與縱向方向夾角為90⁰的水平方向延伸。

4.根據權利要求1所述的單光子雪崩二極管(SPAD)檢測器，其特征在于，其中所述半導體襯底為第一導電類型的第一區域，位于所述半導體襯底上方區域為摻雜濃度高于所述半導體襯底摻雜濃度的第二導電類型的第二區域。

5.根據權利要求4所述的單光子雪崩二極管(SPAD)檢測器，其特征在于，位于所述第二導電類型的第二區域上方為摻雜濃度低于所述第二導電類型的第二區域的第一導電類型的第一區域。

6.根據權利要求5所述的單光子雪崩二極管(SPAD)檢測器，其特征在于，位于所述第一導電類型的第一區域上方為摻雜濃度高于所述第一導電類型的第一區域的第二導電類型的第二區域。

7.根據權利要求6所述的單光子雪崩二極管(SPAD)檢測器，其特征在于，所述第一導電類型的第一區域和所述二導電類型的第二區域構成第一雪崩區域。

8.根據權利要求5所述的單光子雪崩二極管(SPAD)檢測器，其特征在于，所述第一導電類型的第一區域和所述二導電類型的第二區域構成第二雪崩區域。

9.根據權利要求1所述的單光子雪崩二極管(SPAD)檢測器，其特征在于，所述第二導電類型的第二區域的深度為1～2um。

10.根據權利要求5所述的單光子雪崩二極管(SPAD)檢測器，其特征在于，所述第一導電類型的第一區域的深度為3～6um。