[發明專利]氧化銅納米陣列電極、氧化銅納米陣列的非固態水系柔性儲能器件及其制備方法有效
| 申請號： | 202011039129.5 | 申請日： | 2020-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN112164597B | 公開（公告）日： | 2022-05-27 |
| 發明（設計）人： | 劉博天;江林峰;石成龍;劉勇平;龐有勇 | 申請（專利權）人： | 桂林理工大學 |
| 主分類號： | H01G11/86 | 分類號： | H01G11/86;H01G11/22;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/46 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 馮潔 |
| 地址： | 541000 廣西壯*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化銅 納米 陣列 電極 固態 水系 柔性 器件 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氧化銅納米陣列電極的制備方法，其特征在于，包括利用金屬基底和堿性溶液，通過直流穩定電源陽極氧化法制得金屬氫氧化物電極；通過燒結將所述金屬氫氧化物電極失水制得金屬氧化物納米線；其中，
所述堿性溶液為KOH溶液，濃度為2-6M；
所述直流穩定電源陽極氧化法的陽極氧化電壓為1-3V；
所述燒結所述金屬氫氧化物電極在氬氣氛圍下進行；且所述燒結包括在140-160℃保溫一段時間之后，再在200-350℃保溫。
2.根據權利要求1所述的氧化銅納米陣列電極的制備方法，其特征在于，還包括用酸溶液和醇溶液對所述金屬基底進行清洗；
然后再利用清洗過的所述金屬基底和所述堿性溶液，通過所述直流穩定電源陽極氧化法制得所述金屬氫氧化物電極。
3.根據權利要求1所述的氧化銅納米陣列電極的制備方法，其特征在于，所述金屬基底包括銅。
4.一種氧化銅納米陣列電極，其特征在于，其是由權利要求1-3任一項所述的氧化銅納米陣列電極的制備方法制得的。
5.一種氧化銅納米陣列的非固態水系柔性儲能器件，其特征在于，包括權利要求4所述的氧化銅納米陣列電極。
6.一種如權利要求5所述的氧化銅納米陣列的非固態水系柔性儲能器件的制備方法，其特征在于，包括：將所述氧化銅納米陣列電極用隔膜分開，對稱地組裝在水系電極液中，再封裝在塑料薄膜內。
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