[發明專利]高電子遷移率晶體管的制造方法和高電子遷移率晶體管

在審

• 申請號: 202011038645.6
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN112614783A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 山村拓嗣;西口賢彌;住吉和英
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/02;H01L29/778
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 韓峰;孫志湧

1.一種制造高電子遷移率晶體管的方法，包括步驟：

以700℃或以上且900℃或以下的第一爐溫度，通過低壓化學氣相沉積法，在由氮化物半導體組成并且包括阻擋層的半導體疊層的表面上形成第一SiN膜；

以700℃或以上且900℃或以下的第二爐溫度且為1Pa或以下的爐壓力，通過所述爐中的水分和氧氣，在所述第一SiN膜上形成界面氧化層；以及

以700℃或以上且900℃或以下的第三爐溫度，通過所述低壓化學氣相沉積法，在所述界面氧化層上形成第二SiN膜。

2.根據權利要求1所述的制造高電子遷移率晶體管的方法，

其中，形成所述界面氧化層的所述步驟持續至少30秒。

3.根據權利要求1或2所述的制造高電子遷移率晶體管的方法，

其中，形成所述界面氧化層和形成所述第二SiN膜的所述步驟將作為硅原料的二氯硅烷氣體的流量與作為氮原料的氨氣的流量之比設定為1:1。

4.根據權利要求1至3中的一項所述的制造高電子遷移率晶體管的方法，

其中，所述第二爐溫度和所述第三爐溫度等于所述第一爐溫度。

5.一種高電子遷移率晶體管，包括：

由氮化物半導體組成并且包括阻擋層的半導體疊層；以及

表面保護膜，所述表面保護膜具有設置在所述半導體疊層的表面上的第一SiN膜和設置在所述第一SiN膜上的第二SiN膜，

其中，所述表面保護膜包括在所述第一SiN膜和所述第二SiN膜之間的界面氧化層，并且

其中，所述界面氧化層包含超過5×10²¹原子/cm³的氧原子和超過1×10²⁰原子/cm³的氯原子，并且具有1nm或以下的厚度。

6.根據權利要求5所述的高電子遷移率晶體管，

其中，所述第一SiN膜和所述第二SiN膜包含超過1×10²⁰原子/cm³的氯原子。