[發明專利]一種基于自校準的去嵌方法、系統、存儲介質及終端

有效

• 申請號: 202011038481.7
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN111929558B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 丁旭;王立平
• 申請（專利權）人: 浙江鋮昌科技股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 徐秋平

1.一種基于自校準的去嵌方法，晶圓上設置有去嵌結構，其特征在于：所述去嵌結構為左右對稱結構，所述去嵌結構包括直通、反射開路、反射短路和負載匹配；所述基于自校準的去嵌方法包括以下步驟：

獲取所述負載匹配的直流電阻；

對探針尖端面的S參數進行校準；

獲取所述直通、所述反射開路、所述反射短路和所述負載匹配的S參數；

根據所獲取的S參數和所述直流電阻分別計算左右去嵌結構的S參數；

基于所述校準的S參數和所述左右去嵌結構的S參數計算待測器件的S參數。

2.根據權利要求1所述的基于自校準的去嵌方法，其特征在于：所述去嵌結構為微帶線、共面波導或對應的衍生結構。

3.根據權利要求1所述的基于自校準的去嵌方法，其特征在于：獲取所述負載匹配的直流電阻時，若Δ≤1%，所述直流電阻取值50Ω；若Δ1%，所述直流電阻取實測值；其中，，R_M表示直流電阻的實測值。

4.根據權利要求3所述的基于自校準的去嵌方法，其特征在于：基于開爾文法獲取所述負載匹配的直流電阻的實測值。

5.根據權利要求1所述的基于自校準的去嵌方法，其特征在于：使用基于8項誤差模型的校準算法、12項誤差模型的校準算法或16項誤差模型的校準算法對探針尖端面的S參數進行校準。

6.根據權利要求1所述的基于自校準的去嵌方法，其特征在于：根據所獲取的S參數計算所述左右去嵌結構的S參數時，設定滿足以下條件：

；

；

；

；

其中，，，分別表示所述去嵌結構的左邊和右邊的S參數，E₀₀表示前向方向性項，E₁₁表示前向源匹配，E₁₀和E₀₁表示前向反射跟蹤項， E₃₃表示反向方向性項，E₂₂表示反向源匹配，E₃₂和E₂₃表示傳輸跟蹤項。

7.根據權利要求5所述的基于自校準的去嵌方法，其特征在于：基于所述校準的S參數和所述左右去嵌結構的S參數計算待測器件的S參數包括以下步驟：

將所述左右去嵌結構的S參數轉換為左右T參數和，其中，，；

計算所述待測器件的T參數，其中由校準后的S參數轉換而來；

計算所述待測器件的S參數。

8.一種基于自校準的去嵌系統，晶圓上設置有去嵌結構，其特征在于：所述去嵌結構為左右對稱結構，所述去嵌結構包括直通、反射開路、反射短路和負載匹配；所述基于自校準的去嵌系統包括第一獲取模塊、校準模塊、第二獲取模塊、第一計算模塊和第二計算模塊：

所述第一獲取模塊用于獲取所述負載匹配的直流電阻；

所述校準模塊用于對探針尖端面的S參數進行校準；

所述第二獲取模塊用于獲取所述直通、所述反射開路、所述反射短路和所述負載匹配的S參數；

所述第一計算模塊用于根據所獲取的S參數和所述直流電阻分別計算左右去嵌結構的S參數；

所述第二計算模塊用于基于所述校準的S參數和所述左右去嵌結構的S參數計算待測器件的S參數。

9.一種存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，該程序被處理器執行時實現權利要求1至7中任一項所述的基于自校準的去嵌方法。

10.一種終端，其特征在于，包括：處理器及存儲器；

所述存儲器用于存儲計算機程序；

所述處理器用于執行所述存儲器存儲的計算機程序，以使所述終端執行權利要求1至7中任一項所述的基于自校準的去嵌方法。