[發明專利]泄漏測量系統、半導體制造系統和泄漏測量方法

在審

• 申請號: 202011038083.5
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN112629769A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 國武悠太
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: G01M3/24
• 分類號: G01M3/24;H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種測量半導體制造裝置的泄漏的泄漏測量系統，其特征在于，包括：

與所述半導體制造裝置接觸或連接的振動傳感器；

基于所述振動傳感器檢測的振動數據來生成振動波形圖像的圖像生成部；和

基于所述圖像生成部生成的所述振動波形圖像對所述半導體制造裝置的泄漏進行分析的分析部。

2.如權利要求1所述的泄漏測量系統，其特征在于：

所述分析部具有：

圖像處理部，其生成由所述圖像生成部生成的兩個振動波形圖像的差分圖像；

基于所述圖像處理部生成的所述差分圖像來計算差分比例的計算部；和

基于所述計算部計算出的所述差分比例來判斷所述半導體制造裝置是否存在泄漏的判斷部。

3.如權利要求2所述的泄漏測量系統，其特征在于：

所述兩個振動波形圖像的一者，是基于在所述半導體制造裝置沒有泄漏的狀態下所述振動傳感器檢測的所述振動數據而生成的圖像。

4.如權利要求2或3所述的泄漏測量系統，其特征在于：

所述兩個振動波形圖像的一者，是基于在沒有對所述半導體制造裝置供給非活性氣體的狀態下所述振動傳感器檢測的所述振動數據而生成的。

5.如權利要求2～4中任一項所述的泄漏測量系統，其特征在于：

所述兩個振動波形圖像的另一者，是基于在要測量所述半導體制造裝置的泄漏的狀態下所述振動傳感器檢測的所述振動數據而生成的圖像。

6.如權利要求2～5中任一項所述的泄漏測量系統，其特征在于：

所述兩個振動波形圖像的另一者，是基于在對所述半導體制造裝置供給非活性氣體將所述半導體制造裝置內加壓了的狀態下所述振動傳感器檢測的所述振動數據而生成的圖像。

7.如權利要求2～6中任一項所述的泄漏測量系統，其特征在于：

所述判斷部通過對所述計算部計算出的所述差分比例和預先決定的閾值進行比較，來判斷是否存在所述泄漏。

8.如權利要求1～7中任一項所述的泄漏測量系統，其特征在于：

所述圖像生成部通過對所述振動數據進行FFT分析來生成所述振動波形圖像。

9.如權利要求1～8中任一項所述的泄漏測量系統，其特征在于：

還包括顯示所述分析部分析出的所述泄漏的分析結果的顯示部。

10.如權利要求1～8中任一項所述的泄漏測量系統，其特征在于：

還包括存儲部，其存儲所述振動傳感器檢測出的所述振動數據、所述圖像生成部生成的所述振動波形圖像和所述分析部分析出的所述泄漏的分析結果。

11.一種半導體制造系統，其特征在于，包括：

半導體制造裝置；

與所述半導體制造裝置接觸或連接的振動傳感器；

基于所述振動傳感器檢測的振動數據來生成振動波形圖像的圖像生成部；和

基于所述圖像生成部生成的所述振動波形圖像對所述半導體制造裝置的泄漏進行分析的分析部。

12.一種測量半導體制造裝置的泄漏的泄漏測量方法，其特征在于，包括：

基于與所述半導體制造裝置接觸或連接的振動傳感器檢測的振動數據來生成振動波形圖像的步驟；和

基于在所述生成振動波形圖像的步驟中生成的所述振動波形圖像對所述半導體制造裝置的泄漏進行分析的步驟。