[發明專利]一種靜電轉移頭及其制造方法

有效

• 申請號: 202011037950.3
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN112271156B
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發明（設計）人: 張良玉;朱充沛;高威;周宇;王鳴昕
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供一種靜電轉移頭及其制造方法，靜電轉移頭包括基板、陣列設置在基板上的多個高臺，還包括位于相鄰高臺之間且設置在基板上的溝槽、位于溝槽內的電極線和接地線、設置在每個高臺上的凹槽、覆蓋在高臺上和側邊上的至少一個電極以及介電層；其中，所述電極覆蓋至少部分凹槽，所述電極線連接相鄰高臺上的電極，所述介電層位于電極線和接地線之間和覆蓋所述電極和所述凹槽。本發明靜電轉移頭，通過在高臺上形成凹槽以形成雙極電極或單極電極，電極吸附和轉移微型器件；凹槽很好的解決了靜電轉移頭與微型器件之間的偏移問題，另外，本發明在電極線上方還添加了接地線很好的屏蔽了電極線產生的電場。

技術領域

本發明屬于微型器件的技術領域，具體涉及一種靜電轉移頭及其制造方法。

背景技術

靜電吸附，具有操作簡單，靜電釋放快等優點。利用靜電吸附原理制作的轉移頭對微型器件進行轉移時，不會污染微型器件的表面，靜電釋放的速度也較快，轉移效果較好。

微型器件進行轉移時，由靜電力公式可知微型器件與轉移頭之間的間隙會削弱靜電力，因此，需要施加外力讓吸頭與微型器件進行接觸，在此過程中微型器件很容易與靜電轉移頭發生偏移，另外，吸頭與吸頭之間的電極線帶有電荷也會吸引非目標微型器件，對轉移帶來一定的干擾。

發明內容

本發明的目的在于提供一種解決吸附偏移問題和屏蔽電場的靜電轉移頭及其制造方法。

本發明提供一種靜電轉移頭，其包括基板、陣列設置在基板上的多個高臺，還包括位于相鄰高臺之間且設置在基板上的溝槽、位于溝槽內的電極線和接地線、設置在每個高臺上的凹槽、覆蓋在高臺上和側邊上的至少一個電極以及介電層；其中，所述電極覆蓋至少部分凹槽，所述電極線連接相鄰高臺上的電極，所述介電層位于電極線和接地線之間和覆蓋所述電極和所述凹槽。

進一步地，每個高臺包括第一凸起和第二凸起，所述凹槽位于第一凸起和第二凸起之間。

進一步地，所述每個高臺上和側邊上設有兩個電極，分別為第一電極和第二電極，所述第一電極覆蓋在第一凸起上、部分凹槽內以及高臺的部分側邊上，所述第二電極覆蓋在第二凸起上、部分凹槽內以及高臺的部分側邊上，所述第一電極和第二電極在凹槽內具有間隔。

進一步地，假設設有相鄰的兩個高臺分別為第一高臺和第二高臺，第一高臺上的第二電極和第二高臺上的第一電極通過位于第一高臺和第二高臺之間的電極線電性連接。

進一步地，同一高臺上的第一電極和第二電極分別輸入正極性電壓和負極性電壓。

進一步地，每個高臺上設有一個電極；假設有相鄰的兩個高臺分別為第一高臺和第二高臺，位于第一高臺上和側邊上的電極為第一電極，位于第二高臺上和側邊上的電極為第二電極，所述第一電極位于第一高臺的凹槽內、覆蓋第一高臺的第二凸起以及與第二凸起連接的側邊，所述第二電極位于第二高臺的凹槽內、覆蓋第一高臺的第一凸起以及與第一凸起連接的側邊，所述第一電極和第二電極通過第一高臺和第二高臺之間的電極線連接。

進一步地，所述地線位于溝槽的底部，接地線的上端不超過高臺的底部。

進一步地，所述接地線位于溝槽內部且位于相鄰高臺的側邊之間。

本發明還提供一種靜電轉移頭的制造方法，包括如下步驟：

S1：首先，在基板上沉積Cr/Au復合金屬層；然后對Cr/Au復合金屬層進行剝離形成目標圖案，最后對基板進行刻蝕形成高臺和位于相鄰高臺之間的溝槽；

S2：對高臺繼續刻蝕形成位于每個高臺上的凹槽，凹槽的寬度不小于微型器件的寬度；

S3：形成位于溝槽內的電極引線和位于凹槽內的電極；

S4：沉積一層第一介電層；

S5：形成位于電極引線上的接地線；