[發明專利]一種量子點發光器件、其制備方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 202011037916.6
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN112151689B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 梅文海;張宜馳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 王迪

本發明公開了一種量子點發光器件、其制備方法及顯示裝置，本發明實施例通過將至少一層發光功能層中的至少一層設置成包括至少兩層子功能層，各子功能層均包括配體，且沿載流子在各子功能層內的傳輸方向，各子功能層對應的配體的表面能呈梯度變化，以使各子功能層的能級呈梯度變化；這樣可以使各子功能層的的能級與相鄰發光功能層的能級匹配，從而可以改善載流子傳輸和平衡提高器件效率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種量子點發光器件、其制備方法及顯示裝置。

背景技術

量子點發光二極管(Quantum dot Light Emitting Diodes，QLED)具有發光強度高，單色性好，色彩飽和度高，穩定性好等優點，因此，QLED在顯示領域有良好的應用前景。而目前QLED中常用的空穴傳輸層和電子傳輸層與發光層之間的能級勢壘較高，導致器件開啟電壓高、效率低，阻礙了QLED的進一步應用。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種量子點發光器件、其制備方法及顯示裝置，用于解決器件開啟電壓高、效率低等問題。

因此，本發明實施例提供了一種量子點發光器件，包括層疊設置的陽極、至少一層發光功能層和陰極；其中，所述至少一層發光功能層中的至少一層包括至少兩層子功能層，各所述子功能層均包括配體，且沿載流子在各所述子功能層內的傳輸方向，各所述子功能層對應的配體的表面能呈梯度變化，以使各所述子功能層的能級呈梯度變化。

可選地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述量子點發光器件中，所述至少一層發光功能層中的至少一層包括三層子功能層。

可選地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述量子點發光器件中，所述配體包括：具有較小表面能的含氟基團配體，以及具有較大表面能的疏水性胺配體和親水性胺配體；其中，

所述發光功能層在親水性膜層上制作時，所述親水性胺配體的表面能大于所述疏水性胺配體的表面能；

所述發光功能層在疏水性膜層上制作時，所述疏水性胺配體的表面能大于所述親水性胺配體的表面能。

可選地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述量子點發光器件中，所述親水性胺配體包括醇胺配體，所述疏水性胺配體包括烷烴胺配體。

可選地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述量子點發光器件中，所述發光功能層包括電子傳輸層、量子點發光層和空穴傳輸層，所述電子傳輸層靠近所述陰極，所述空穴傳輸層靠近所述陽極；其中，所述電子傳輸層、所述量子點發光層和所述空穴傳輸層中至少一層包括三層子功能層。

可選地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述量子點發光器件中，所述電子傳輸層包括層疊設置的第一子功能層、第二子功能層和第三子功能層，所述第一子功能層靠近所述量子點發光層，所述第三子功能層靠近所述陰極；所述第一子功能層、所述第二子功能層和所述第三子功能層的LUMO能級逐漸變深，所述第一子功能層、所述第二子功能層和所述第三子功能層的表面能逐漸降低或逐漸增大。

可選地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述量子點發光器件中，所述電子傳輸層在疏水性膜層上制作時，所述第一子功能層的材料為疏水性胺作為配體的氧化鎂鋅納米粒子，所述鎂占所述氧化鎂鋅摩爾質量的0％-50％；所述第二子功能層的材料為親水性胺作為配體的氧化鎂鋅納米粒子，所述鎂占所述氧化鎂鋅摩爾質量的0％-50％；所述第三子功能層的材料為含氟基團作為配體的氧化鋅納米粒子，且所述第一子功能層中鎂的含量大于所述第二子功能層中鎂的含量；

所述電子傳輸層在親水性膜層上制作時，所述第一子功能層的材料為含氟基團作為配體的氧化鎂鋅納米粒子，所述鎂占所述氧化鎂鋅摩爾質量的0％-50％；所述第二子功能層的材料為疏水性胺作為配體的氧化鎂鋅納米粒子，所述鎂占所述氧化鎂鋅摩爾質量的0％-50％；所述第三子功能層的材料為親水性胺作為配體的氧化鋅納米粒子，且所述第一子功能層中鎂的含量大于所述第二子功能層中鎂的含量。