[發(fā)明專利]紅外探測(cè)器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011037855.3
• 申請(qǐng)日: 2020-11-03
• 公開（公告）號(hào): CN112201713B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝芳梅;李文杰;劉奧星;楊紫薇;劉宇;楊春雷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H01L31/032
• 分類號(hào): H01L31/032;H01L31/09;H01L31/20
• 代理公司: 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;但念念

1.一種紅外探測(cè)器件，其特征在于，所述紅外探測(cè)器件包括襯底以及依次層疊設(shè)置于所述襯底上的絕緣層、微結(jié)構(gòu)層，所述微結(jié)構(gòu)層包括呈陣列設(shè)置的多個(gè)微結(jié)構(gòu)，所述紅外探測(cè)器件還包括設(shè)置于所述微結(jié)構(gòu)層表面的吸收層，所述吸收層的材質(zhì)為Ge₂Sb₂Te₅相變材料，所述微結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)為金屬，所述微結(jié)構(gòu)層的局域表面等離激元的共振波長(zhǎng)為0.75～300μm；

其中，所述吸收層覆蓋于所述多個(gè)微結(jié)構(gòu)的頂面和側(cè)面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器件，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)層的材質(zhì)為金。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器件，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的紅外探測(cè)器件，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)與所述絕緣層貼合的一面的形狀為正方形，所述正方形的邊長(zhǎng)為1～5μm，和/或，所述微結(jié)構(gòu)層的厚度為100～200nm，和/或，相鄰兩個(gè)微結(jié)構(gòu)之間的間距為2～3μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器件，其特征在于，所述吸收層的厚度為100～400nm，和/或，所述吸收層的晶態(tài)為非晶態(tài)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器件，其特征在于，所述紅外探測(cè)器件還包括設(shè)于所述吸收層上的電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器件，其特征在于，所述絕緣層的材質(zhì)為聚甲基丙烯酸甲酯。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的紅外探測(cè)器件，其特征在于，所述絕緣層的厚度為100～500nm。

9.一種如權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的紅外探測(cè)器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成絕緣層；

通過光刻工藝在所述絕緣層上形成微結(jié)構(gòu)層；

在所述微結(jié)構(gòu)層上形成吸收層；

在所述吸收層上形成電極。