[發明專利]包括柵極的半導體器件

有效

• 申請號: 202011037677.4
• 申請日: 2018-07-17
• 公開（公告）號: CN112271180B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 具池謀;樸慶晉;樸玄睦;李秉一;李晫;車俊昊
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11524;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 馬曉蒙

1.一種半導體器件，包括：

堆疊在襯底上的多個柵極組；

在穿透所述多個柵極組的溝槽中的結構；以及

在所述多個柵極組的多個墊區域上的多個接觸插塞，

其中所述多個柵極組包括第一柵極組和在所述第一柵極組上的第二柵極組，

其中所述溝槽的至少一部分在第一水平方向上延伸，

其中所述第一柵極組包括：

第一下電極；

設置在所述第一下電極上的第一中間電極；以及

第一上電極，其包括第一墊區域并且設置在所述第一中間電極上，其中所述第二柵極組包括：

第二下電極；

設置在所述第二下電極上的第二中間電極；以及

第二上電極，其包括第二墊區域并且設置在所述第二中間電極上，其中所述第一下電極包括：

第一下重疊部分，其在垂直方向上與所述第一中間電極重疊；以及

第一下延伸部分，其在所述垂直方向上不與所述第一中間電極重疊并且從所述第一下重疊部分在所述第一水平方向上延伸，

其中所述第一中間電極包括：

第一中間重疊部分，其在所述垂直方向上與所述第一上電極重疊；以及

第一中間延伸部分，其在所述垂直方向上不與所述第一上電極重疊并且從所述第一中間重疊部分在所述第一水平方向上延伸，

其中所述第二下電極包括：

第二下重疊部分，其在所述垂直方向上與所述第二中間電極重疊；以及

第二下延伸部分，其在所述垂直方向上不與所述第二中間電極重疊并且從所述第二下重疊部分在所述第一水平方向上延伸，

其中所述第二中間電極包括：

第二中間重疊部分，其在所述垂直方向上與所述第二上電極重疊；以及

第二中間延伸部分，其在所述垂直方向上不與所述第二上電極重疊并且從所述第二中間重疊部分在所述第一水平方向上延伸，

其中所述多個接觸插塞包括接觸所述第一墊區域的第一接觸插塞以及接觸所述第二墊區域的第二接觸插塞，

其中所述第一中間電極和所述第一下電極之間在所述垂直方向上的距離與所述第二中間電極和所述第二下電極之間在所述垂直方向上的距離相同，

其中所述第二下延伸部分在所述第一水平方向上的長度大于所述第一下延伸部分在所述第一水平方向上的長度，以及

其中所述第一墊區域和所述第二墊區域在所述第一水平方向上的長度大于所述第二下延伸部分在所述第一水平方向上的所述長度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一接觸插塞和所述第二接觸插塞的每個在所述第一水平方向上的寬度大于所述第二下延伸部分在所述第一水平方向上的所述長度與所述第二中間延伸部分在所述第一水平方向上的長度的總和，以及

其中所述第二中間延伸部分在所述第一水平方向上的所述長度大于所述第二下延伸部分在所述第一水平方向上的所述長度。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括：

在所述第一中間電極和所述第一上電極之間的第三中間電極；以及

在所述第二中間電極和所述第二上電極之間的第四中間電極，

其中所述第三中間電極包括：

第三中間重疊部分，其在所述垂直方向上與所述第一上電極重疊；以及

第三中間延伸部分，其在所述垂直方向上不與所述第一上電極重疊并且從所述第三中間重疊部分在所述第一水平方向上延伸，

其中所述第四中間電極包括：

第四中間重疊部分，其在所述垂直方向上與所述第二上電極重疊；以及

第四中間延伸部分，其在所述垂直方向上不與所述第二上電極重疊并且從所述第四中間重疊部分在所述第一水平方向上延伸。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第一中間延伸部分在所述第一水平方向上的長度大于所述第三中間延伸部分在所述第一水平方向上的長度，以及

其中所述第二中間延伸部分在所述第一水平方向上的長度大于所述第四中間延伸部分在所述第一水平方向上的長度。