[發明專利]晶圓處理裝置

有效

• 申請號: 202011037579.0
• 申請日: 2020-09-28
• 公開（公告）號: CN112216648B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 朱焜;李華東;張珍珍
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

一種晶圓處理裝置，本發明通過將放置晶圓的區域中的多個排氣孔設置為封閉狀態，并將至少一個第一溝槽和/或至少一個第二溝槽設置于平臺表面與所述晶圓面向所述平臺表面的平坦面接觸的接觸區，完全阻斷具有腐蝕性的氣體被傳送到所述晶圓的所述平坦面的途徑，避免所述晶圓的所述平坦面的膜層受到損害而發生物理特性的變化，影響后續制程。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種晶圓處理裝置。

背景技術

在半導體制程中，通常會在腔體中將待制備的晶圓設置于晶圓處理裝置上，以對所述晶圓進行不同制程的制備。然而，在現行的晶圓處理裝置中，設置于放置所述晶圓的區域中的排氣孔通常會將對所述晶圓面向所述晶圓處理裝置一面的膜層有損害的氣體吸入，造成其物理特性發生變化而影響后續制程。因此，有必要提供一種晶圓處理裝置，以解決上述的技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種晶圓切割裝置。

為了實現上述目的，本發明一方面提供一種晶圓處理裝置，包括：

腔體；以及

晶圓處理平臺，設置于所述腔體中，并且包括：

平臺表面，用以放置晶圓，并且放置所述晶圓的區域為晶圓放置區；

多個排氣孔，至少設置于所述晶圓放置區所對應的所述晶圓處理平臺中，并且每個排氣孔具有連通的設置于所述平臺表面的第一端口與背離所述平臺表面的第二端口；以及

多個頂針，分別設置于所述多個排氣孔中，當所述多個頂針處于第一定位時，可支撐所述晶圓且設置于遠離所述平臺表面的方向上，當所述多個頂針處于第二定位時，可讓所述晶圓放置于所述平臺表面且所述多個排氣孔為通暢狀態，當所述多個頂針處于第三定位時，可讓所述晶圓放置于所述平臺表面且每個部份的頂針將對應的每個排氣孔堵住，呈現封閉狀態。

進一步地，所述平臺表面還包括至少一個第一溝槽，并且所述平臺表面與所述晶圓面向所述平臺表面的平坦面接觸的區域為接觸區，所述至少一個第一溝槽設置于所述接觸區內。

進一步地，所述至少一個第一溝槽以所述接觸區的中心為中心呈環形放射狀排列與線性放射狀排列中的至少一者。

進一步地，所述平臺表面的所述接觸區內還包括溝槽寬度比所述至少一個第一溝槽的溝槽寬度寬的至少一個第二溝槽，其設置于所述至少一個第一溝槽的外圍。

進一步地，所述晶圓處理裝置還包括：抽氣裝置，當所述多個頂針處于所述第一定位與所述第二定位時，經由所述第一端口與所述第二端口抽離所述晶圓面向所述平臺表面的平坦面與所述平臺表面之間的氣體。

進一步地，所述晶圓處理平臺還包括感測孔，設置于所述晶圓處理平臺中，用以安裝感測器。

進一步地，所述晶圓處理平臺還包括晶圓加熱器，用以加熱放置于所述平臺表面的所述晶圓。

進一步地，所述晶圓處理平臺還包括冷卻管道，用以降溫加熱過的所述晶圓。

進一步地，每個頂針包括第一頂針部與第二頂針部，每個排氣孔包括第一段排氣孔與第二段排氣孔，所述第一頂針部的一端用以支撐所述晶圓面向所述平臺表面的平坦面，另一端與所述第二頂針部的一端連接，所述第一頂針部對應設置于所述第一段排氣孔中，所述第二頂針部對應設置于所述第二段排氣孔中，并且所述第一頂針部的截面積不小于所述第二頂針部的截面積，所述第一頂針部的至少部份的截面積大于所述第二段排氣孔的截面積。

進一步地，所述第一頂針部設置為倒梯形形狀。