[發(fā)明專利]一種芳胺化合物、使用其的電子元件及電子裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011036168.X | 申請日: | 2020-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN112110825B | 公開(公告)日: | 2022-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 聶齊齊;曹佳梅 | 申請(專利權(quán))人: | 陜西萊特光電材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C07C211/61 | 分類號: | C07C211/61;C07D307/91;C07D333/76;C07D209/86;C07D209/88;C07F7/08;C07C255/58;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京英創(chuàng)嘉友知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11447 | 代理人: | 鄒宇寧 |
| 地址: | 710065 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 化合物 使用 電子元件 電子 裝置 | ||
本申請屬于有機(jī)材料領(lǐng)域,涉及一種芳胺化合物、使用其的電子元件及電子裝置。該芳胺化合物具有如下式1所示的結(jié)構(gòu)。本申請的該芳胺化合物作為空穴傳輸材料應(yīng)用于OLED器件中,能夠獲得良好的器件性能,較低的電壓。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請屬于有機(jī)材料技術(shù)領(lǐng)域,具體提供一種芳胺化合物、使用其的電子元件及電子裝置。
背景技術(shù)
隨著電子技術(shù)的發(fā)展和材料科學(xué)的進(jìn)步,用于實(shí)現(xiàn)電致發(fā)光或者光電轉(zhuǎn)化的電子元器件的應(yīng)用范圍越來越廣泛。該類電子元器件通常包括相對設(shè)置的陰極和陽極,以及設(shè)置于陰極和陽極之間的功能層。該功能層由多層有機(jī)或者無機(jī)膜層組成,且一般包括能量轉(zhuǎn)化層、位于能量轉(zhuǎn)化層與陽極之間的空穴傳輸層、位于能量轉(zhuǎn)化層與陰極之間的電子傳輸層。
舉例而言,當(dāng)電子元件為有機(jī)電致發(fā)光器件時(shí),其一般包括依次層疊設(shè)置的陽極、空穴傳輸層、作為能量轉(zhuǎn)化層的電致發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。當(dāng)陰陽兩極施加電壓時(shí),兩電極產(chǎn)生電場,在電場的作用下,陰極側(cè)的電子向電致發(fā)光層移動,陽極側(cè)的空穴也向發(fā)光層移動,電子和空穴在電致發(fā)光層結(jié)合形成激子,激子處于激發(fā)態(tài)向外釋放能量,進(jìn)而使得電致發(fā)光層對外發(fā)光。
目前,有機(jī)電致發(fā)光器件在高溫下驅(qū)動時(shí)會出現(xiàn)工作電壓上升、發(fā)光效率降低和壽命縮短等問題,導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件的性能下降。
發(fā)明內(nèi)容
本申請的目的在于提供一種性能優(yōu)異的有機(jī)電致發(fā)光材料,可用作有機(jī)電致發(fā)光器件中的空穴傳輸層。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本申請?zhí)峁┮环N芳胺化合物,該芳胺化合物具有如下式1所示的結(jié)構(gòu):
其中,環(huán)A為取代或未取代的5~16元脂肪烴環(huán);
L1、L2和L3各自獨(dú)立地為單鍵、取代或未取代的碳原子數(shù)為6~30的亞芳基、或者為取代或未取代的碳原子數(shù)為3~30的亞雜芳基;
Ar1選自取代或未取代的以下基團(tuán):碳原子數(shù)為1~20的烷基、碳原子數(shù)為3~20的環(huán)烷基、碳原子數(shù)為6~30的芳基、碳原子數(shù)為3~30的雜芳基;
R1、R2、R3和R4彼此相同或不同,且各自獨(dú)立地選自氘、鹵素基團(tuán)、氰基、碳原子數(shù)為3~20的環(huán)烷基、碳原子數(shù)為2~20的雜環(huán)烷基、碳原子數(shù)為1~20的烷基和碳原子數(shù)為6~30的芳基、碳原子數(shù)為3~30的雜芳基;a1、a2、a3、a4分別是R1、R2、R3和R4的個數(shù);
a1和a4各自獨(dú)立地選自0、1、2、3或4,當(dāng)a1大于1時(shí),任意兩個R1相同或者不相同,或者任意兩個相鄰的R1相互連接形成碳原子數(shù)為3~15的飽和或不飽和環(huán);當(dāng)a4大于1時(shí),任意兩個R4相同或者不相同,或者任意兩個相鄰的R4相互連接形成碳原子數(shù)為3~15的飽和或不飽和環(huán);
a2和a3各自獨(dú)立地選自0、1、2或3,當(dāng)a2大于1時(shí),任意兩個R2相同或者不相同,或者,任意兩個相鄰的R2相互連接形成碳原子數(shù)為3~15的飽和或不飽和環(huán);當(dāng)a3大于1時(shí),任意兩個R3相同或者不相同,或者任意兩個相鄰的R3相互連接形成碳原子數(shù)為3~15的飽和或不飽和環(huán);
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陜西萊特光電材料股份有限公司,未經(jīng)陜西萊特光電材料股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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