[發(fā)明專利]基于聚精氨酸和聚谷氨酸逐層修飾的納米孔制備pH響應(yīng)的納米流體二極管方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011035540.5 | 申請日： | 2020-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN112179955A | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 安鵬榮;李君;謝彥博 | 申請（專利權(quán)）人： | 西北工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12;B82Y40/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 西北工業(yè)大學(xué)專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 精氨酸 谷氨酸 修飾 納米 制備 ph 響應(yīng) 流體 二極管 方法 | ||
1.一種基于聚精氨酸修飾的納米孔制備pH響應(yīng)的納米流體二極管的方法，其特征在于步驟如下：
步驟1：將重離子輻照過的PET膜除去膜表面的灰塵和雜質(zhì)；
步驟2：用化學(xué)刻蝕的方法在PET薄膜刻蝕納米孔，在0.5mg/mL的PLR溶液中浸泡6h后沖洗干凈、晾干，再放到60℃的烘箱中3h，PET薄膜上的納米孔為聚精氨酸修飾的固態(tài)納米孔，在pH作用下具有陰離子選擇性的納米流體二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于聚精氨酸修飾的納米孔制備pH響應(yīng)的納米流體二極管的方法，其特征在于：將聚精氨酸修飾的納米孔在0.5mg/mL的聚谷氨酸溶液中浸泡6h后沖洗干凈、晾干，再放到60℃的烘箱中3h，PET薄膜上的納米孔為聚精氨酸和聚谷氨酸逐層修飾的固態(tài)納米孔，在pH作用下具有陽離子離子選擇性的納米流體二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述納米孔為采用不對稱刻蝕法得到的單錐形納米孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述在pH作用下具有陰離子選擇性的納米流體二極管時(shí)pH為2.2～11。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：所述在pH作用下具有陽離子離子選擇性的納米流體二極管時(shí)pH為1.5～9.8。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1除去膜表面的灰塵和雜質(zhì)PET膜再在紫外燈下每面輻照1.5h。
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