[發明專利]一種中心區域電流集中的壓敏電阻瓷片在審
| 申請號: | 202011035156.5 | 申請日: | 2020-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN112125662A | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發明(設計)人: | 葉林龍;覃遠東;梁自偉 | 申請(專利權)人: | 廣西新未來信息產業股份有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/453 | 分類號: | C04B35/453;C04B35/622;C04B41/87;H01C7/112 |
| 代理公司: | 北海市佳旺專利代理事務所(普通合伙) 45115 | 代理人: | 黃曦 |
| 地址: | 536000 廣西壯*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 中心 區域 電流 集中 壓敏電阻 瓷片 | ||
1. 一種中心區域電流集中的壓敏電阻瓷片,其特征在于:所述壓敏電阻瓷片材料主要是由下述摩爾比的原料制備而成:ZnO:Bi2O3:TiO2:Co2O3:Ni2O3:BaCO3: MnCO3:SnO2:Al(NO3)3·9H2O:Sb2O3:SrCO3:H3BO3等于95.5%~97.5%:0.7%~0.9%:0.5%~0.9%:0.8%~1.0%:0.1%~0.3%:0~0.1%:0.1~0.3%:0.2%~0.3%:0.02~0.2%:0.2%~0.35%:0.018%~0.02%:0~0.1%。
2.如權利要求1所述的一種中心區域電流集中的壓敏電阻瓷片,其特征在于,所述瓷片的制造工藝的步驟是:
一、制備主料:首先將工業優級ZnO粉料和分析純原料按下述摩爾比的原料稱量好:ZnO:Bi2O3:TiO2:Co2O3:Ni2O3:BaCO3: MnCO3:SnO2:Al(NO3)3·9H2O:Sb2O3:SrCO3:H3BO3等于95.5%~97.5%:0.7%~0.9%:0.5%~0.9%:0.8%~1.0%:0.1%~0.3%:0~0.1%:0.1~0.3%:0.2%~0.3%:0.02~0.2%:0.2%~0.35%:0.018%~0.02%:0~0.1%,混合在一起,得到主料A;
二、制備生坯漿料:向分散劑聚丙烯酸中加入去離子水,在80℃水浴條件下加熱攪拌至完全溶解,調節pH值到8,得到溶液B,將主料A、溶液B和鋯球放入球磨罐中,濕法球磨16小時,得到漿料,所述球磨罐中球料質量比為3:1;所述分散劑聚丙烯酸用量為主料A總質量的0.2~0.25%,加入去離子水的質量應使制成的漿料固含量為55~60%;
三、造粒:將球磨后的漿料在140±10℃烘箱內干燥成無水坯狀,將烘干后的粉料碾碎成無顆粒感的粉料,加入PVA水溶液研磨造粒并烘干,過80-100目篩,靜置4~8小時后,得造粒粉料;PVA的添加量為烘干后粉料質量的4%,所得造粒粉料含水質量百分比為0.4%±0.1;
四、生坯制備:采用模壓成型,將造粒粉料干壓成型,壓制成所需直徑的陶瓷生坯體;將陶瓷生坯體在550℃~650℃排膠,升溫速率1℃/分鐘,保溫4小時,隨爐冷卻至常溫,得到排膠生坯;
五、邊沿浸潤:將所述排膠生坯的邊沿部分浸入特制漿料中,浸沒邊緣寬度為2~4mm,讓瓷片生坯外沿均勻沾上特制漿料后靜置1h;
六、燒結:將浸潤完成的陶瓷生坯體放入電阻爐中進行燒結,燒結溫度為1100℃~1150℃,保溫250分鐘~400分鐘,隨爐冷卻至常溫,即得所述中心區域電流集中的壓敏電阻瓷片。
3.如權利要求2所述的一種中心區域電流集中的壓敏電阻瓷片,其特征在于:所述特制漿料的配方及制備工藝為:
一、按質量比取分析純粉料ZnO:Bi2O3:Sb2O3:玻璃粉:Y2O3等于40~42%:9~11%:27~33%:15~18%:3~5%,濕法球磨混合,球磨介質為無水乙醇,球料比3:1,烘干后碾碎過60目篩,850℃煅燒后研磨,過150目篩,得粉料T;
二、按質量比取乙基纖維素:乙二醇丁醚:鄰苯二甲酸二丁酯:二乙二醇丁醚=1:10:2:10,混合均勻,得到溶液T;
三、按質量比取粉料T:溶液T=1000:645,放入球磨罐球磨混合24h,球料比3:1,混合后漿料過100目篩后得到特制漿料。
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