[發明專利]壓環組件及半導體工藝腔室

在審

• 申請號: 202011033793.9
• 申請日: 2020-09-27
• 公開（公告）號: CN112151436A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 和長見;張超
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67;H01J37/305;H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種壓環組件，所述壓環組件與卡盤配合使用，所述壓環組件通過升降裝置將托盤固定在所述卡盤上，其特征在于，所述壓環組件包括靜電組件和絕緣的壓環本體，其中，所述壓環本體用于與所述托盤接觸，且所述壓環本體上設置有通孔，所述通孔用于暴露所述托盤上所承載的晶片；

所述靜電組件與所述壓環本體連接，用于使所述壓環本體產生靜電吸附力，以通過所述壓環本體對所述托盤進行吸附，以及所述靜電組件還用于將所述壓環本體的靜電吸附力消除，以釋放所述托盤。

2.根據權利要求1所述的壓環組件，其特征在于，所述壓環組件還包括直流電源，所述靜電組件包括電極部件，其中，所述直流電源與所述電極部件電連接，并用于向所述電極部件提供直流電；

所述電極部件設置在所述壓環本體中，所述電極部件能夠在其通有直流電時，使所述壓環本體產生靜電吸附力。

3.根據權利要求2所述的壓環組件，其特征在于，所述通孔和所述托盤上所承載的所述晶片一一對應設置，所述電極部件分布在所述壓環本體的所述通孔之外的部分。

4.根據權利要求3所述的壓環組件，其特征在于，各所述通孔中均設置有環形的擋環，所述擋環沿所述通孔的周向環繞設置，并與所述壓環本體連接，用于遮擋所述通孔側壁位置處的所述電極部件。

5.根據權利要求3所述的壓環組件，其特征在于，所述電極部件的邊緣輪廓位于所述壓環本體的邊緣輪廓之內。

6.根據權利要求2-5任意一項所述的壓環組件，其特征在于，所述電極部件為單電極，所述單電極為金屬材質鎢。

7.根據權利要求1所述的壓環組件，其特征在于，所述壓環本體的邊緣設置有至少一個連接凸部，所述連接凸部用于連接所述升降裝置。

8.根據權利要求7所述的壓環組件，其特征在于，所述連接凸部數量為多個，且所有的所述連接凸部沿所述壓環本體的周向間隔分布。

9.一種半導體工藝腔室，包括反應腔室、托盤、卡盤和升降裝置，所述卡盤設置于所述反應腔室內用于承載所述托盤，其特征在于，還包括如權利要求1-8中任一項所述的壓環組件，所述壓環本體通過所述升降裝置移動用以將所述托盤固定在所述卡盤上。

10.根據權利要求9所述的半導體工藝腔室，其特征在于，所述升降裝置的固定部設置于所述反應腔室的外部，所述升降裝置的驅動部伸入所述反應腔室內，并與所述壓環本體連接。