[發明專利]一種GaAs基晶圓斜切角度的快速表征方法在審
| 申請號： | 202011033632.X | 申請日： | 2020-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN112326707A | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發明（設計）人： | 宋世金;趙炆兼;湯惠淋;王雷;劉浩飛;馬金峰 | 申請（專利權）人： | 威科賽樂微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N23/2251 | 分類號： | G01N23/2251;G01N23/04;G01B15/00 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 張晨 |
| 地址： | 404040 重慶*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gaas 基晶圓 斜切 角度 快速 表征 方法 | ||
1.一種GaAs基晶圓斜切角度的快速表征方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、對GaAs基晶圓沿自然解理面進行分割；
S2、沿平行于GaAs基晶圓的襯底表面，并與自然解理面法線一側呈45°方向，觀察并測量解理邊與GaAs基晶圓上下表面的夾角，記為θ1；
S3、若θ1≠90°，則GaAs基晶圓的斜切角為|90°-θ1|；
S4、若θ1＝90°，則沿平行于GaAs基晶圓襯底表面、與自然解理面法線另一測呈45°方向，觀察并測量解理邊與晶圓襯底上、下表面的夾角，記為θ2，則GaAs基晶圓的斜切角為|90°-θ2|。
2.根據權利要求1所述的一種GaAs基晶圓斜切角度的快速表征方法，其特征在于：所述GaAs基晶圓襯底為(100)取向，斜切方向為110的GaAs單晶襯底。
3.根據權利要求2所述的一種GaAs基晶圓斜切角度的快速表征方法，其特征在于：所述GaAs基晶圓為裸襯底。
4.根據權利要求2所述的一種GaAs基晶圓斜切角度的快速表征方法，其特征在于：所述GaAs基晶圓為經同質、異質外延的GaAs基晶圓。
5.根據權利要求2所述的一種GaAs基晶圓斜切角度的快速表征方法，其特征在于：所述GaAs基晶圓為經金屬、介電薄膜沉積后的GaAs基器件晶圓。
6.根據權利要求3-5任一權利要求所述的一種GaAs基晶圓斜切角度的快速表征方法，其特征在于：所述S2和S4中，觀察解理邊與GaAs基晶圓襯底上、下表面夾角的表征手段包括鎢絲燈掃描電鏡、場發射掃描電鏡、高分辨透射電鏡。
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