[發明專利]基于缺陷地加載的絕對帶寬恒定的頻率可調帶通濾波器有效
| 申請號: | 202011031424.6 | 申請日: | 2020-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN112164849B | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發明(設計)人: | 梁晨;劉云;林澤彬;張子錚;王小燕 | 申請(專利權)人: | 南京航空航天大學 |
| 主分類號: | H01P1/20 | 分類號: | H01P1/20 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 熊玉瑋 |
| 地址: | 210016 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 缺陷 加載 絕對 帶寬 恒定 頻率 可調 帶通濾波器 | ||
1.基于缺陷地加載的絕對帶寬恒定的頻率可調帶通濾波器,包括:上層微帶層、中間介質層、下層金屬層,上層微帶層附著在中間介質層的上表面,下層金屬層附著在中間介質層的下表面,其特征在于,所述上層微帶層集總有第一輸入/輸出端口、第二輸入/輸出端口、第一饋電網絡、耦合器、第二饋電網絡,耦合器包括平行耦合的第一微帶諧振器、第二微帶諧振器,第一微帶諧振器與第二微帶諧振器關于耦合縫隙中線對稱,第一饋電網絡的信號輸入端接第一輸入/輸出端口,第二饋電網絡的信號輸出端接第二輸入/輸出端口,第一饋電網絡位于第一諧振器的外側且與第一微帶諧振器平行耦合,第二饋電網絡位于第二諧振器的外側且與第二微帶諧振器平行耦合,下層金屬層靠近微帶諧振器末端的局部具有缺陷地單元,以缺陷地單元幾何中心與微帶諧振器首端之間的距離表征缺陷地單元的加載位置,根據耦合系數變化曲線的斜率隨缺陷地長度增加而增加、耦合系數取值范圍隨著缺陷地寬度的增加而變大、耦合系數取值范圍隨著缺陷地加載位置數值的增加而變大、耦合系數變化曲線的斜率隨著缺陷地加載位置數值的增加而增大的規律確定缺陷地單元的長度、寬度以及加載位置。
2.根據權利要求1所述基于缺陷地加載的絕對帶寬恒定的頻率可調帶通濾波器,其特征在于,所述第一微帶諧振器和第二微帶諧振器均為λg/4諧振器。
3.根據權利要求2所述基于缺陷地加載的絕對帶寬恒定的頻率可調帶通濾波器,其特征在于,所述第一微帶諧振器包括:第五傳輸線、第一變容二極管、第一電感、第三電容,第五傳輸線的一端經過孔接地,第一變容二極管的陽極與第五傳輸線的另一端即開路端相連,第一變容二極管的陰極與第一電感的一端以及第三電容的一極相連,第一電感的另一端經一段微帶線與電源相連。
4.根據權利要求3所述基于缺陷地加載的絕對帶寬恒定的頻率可調帶通濾波器,其特征在于,所述第一饋電網絡包括第一傳輸線、第一電容、第二傳輸線,第一傳輸線的一端與第一輸入/輸出端口相連接,第一傳輸線的另一端與第一電容的一極相連,第一電容的另一極與第二傳輸線的一端相連,第二傳輸線的另一端經過孔接地,所述第二傳輸線的寬度小于第五傳輸線的寬度。
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