[發明專利]聚酰亞胺前驅物的制作方法及聚酰亞胺有效
| 申請號: | 202011030363.1 | 申請日: | 2020-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN112979948B | 公開(公告)日: | 2023-10-10 |
| 發明(設計)人: | 丘建華;楊焙凱;吳俊明 | 申請(專利權)人: | 新揚科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C08G73/10 | 分類號: | C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣高*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚酰亞胺 前驅 制作方法 | ||
1.一種聚酰亞胺前驅物的制作方法,其特征在于,該制作方法包含:
對第一四羧酸二酐單體與第一二胺單體進行第一反應,以形成第一聚酰胺酸;
對該第一聚酰胺酸、第二四羧酸二酐單體與第二二胺單體進行第二反應,以形成嵌段聚酰胺酸,其中該嵌段聚酰胺酸是由該第一聚酰胺酸與第二聚酰胺酸所組成,且該第二聚酰胺酸是由該第二四羧酸二酐單體與該第二二胺單體所形成;以及
對該嵌段聚酰胺酸、第三四羧酸二酐單體與第三二胺單體進行第三反應,以形成該聚酰亞胺前驅物,其中該聚酰亞胺前驅物是由該嵌段聚酰胺酸與第三聚酰胺酸所組成,且該第三聚酰胺酸是由該第三四羧酸二酐單體與該第三二胺單體所形成,且
其中該第一四羧酸二酐單體或該第二四羧酸二酐單體的一者為主鏈具有醚基的四羧酸二酐單體;且
該第三二胺單體為主鏈具有醚基的二胺單體或側鏈具有烷基的二胺單體。
2.如權利要求1所述的聚酰亞胺前驅物的制作方法,其特征在于,基于該聚酰亞胺前驅物的含量為100摩爾百分比,該第三聚酰胺酸的含量為10摩爾百分比至30摩爾百分比。
3.如權利要求2所述的聚酰亞胺前驅物的制作方法,其特征在于,基于該聚酰亞胺前驅物的該含量為100摩爾百分比,該第一四羧酸二酐單體或該第二四羧酸二酐單體的該者所形成的該第一聚酰胺酸或該第二聚酰胺酸的含量為10摩爾百分比至60摩爾百分比。
4.如權利要求3所述的聚酰亞胺前驅物的制作方法,其特征在于,基于該聚酰亞胺前驅物的該含量為100摩爾百分比,該第一四羧酸二酐單體或該第二四羧酸二酐單體的另一者所形成的該第一聚酰胺酸或該第二聚酰胺酸的含量為20摩爾百分比至75摩爾百分比。
5.如權利要求1所述的聚酰亞胺前驅物的制作方法,其特征在于,該第一二胺單體與該第二二胺單體不為主鏈具有醚基的二胺單體或側鏈具有烷基的二胺單體。
6.如權利要求1所述的聚酰亞胺前驅物的制作方法,其特征在于,該第三四羧酸二酐單體不為主鏈具有醚基的四羧酸二酐單體。
7.如權利要求1所述的聚酰亞胺前驅物的制作方法,其特征在于,該聚酰亞胺前驅物的總固含量為10重量百分比至25重量百分比。
8.一種聚酰亞胺,其特征在于,該聚酰亞胺是藉由加熱聚酰亞胺前驅物所形成,且該聚酰亞胺前驅物是利用如權利要求1至7中的任一項所述的制作方法所制得,其中該聚酰亞胺的每一分子鏈是由第一聚酰胺酸、第二聚酰胺酸與第三聚酰胺酸所組成。
9.如權利要求8所述的聚酰亞胺,其特征在于,該聚酰亞胺的介電損耗因子為0.003至0.005且介電常數為3.0至3.7。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于新揚科技股份有限公司,未經新揚科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011030363.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類





