[發(fā)明專利]鈣鈦礦量子點(diǎn)膜在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011030122.7 | 申請日: | 2020-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN112140677A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 喻四海;童建宇;施法寬 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山博益鑫成高分子材料有限公司 |
| 主分類號: | B32B27/32 | 分類號: | B32B27/32;B32B27/30;B32B27/08;B32B25/14;B32B25/08;C08L23/08;C08L53/02;C08K3/22;C08K5/134;C08K5/098;C08K13/02;C08J5/18 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鈣鈦礦 量子 | ||
本發(fā)明公開了鈣鈦礦量子點(diǎn)膜,包括依次設(shè)置的第一阻水層、第一阻氧層、量子點(diǎn)層、第二阻氧層、第二阻水層;所述量子點(diǎn)層由0.5~10重量份的鈣鈦礦量子點(diǎn),75~95重量份的熱塑性彈性體、2~25重量份的擴(kuò)散粒子與0.02~10重量份的抗氧化劑構(gòu)成,所述阻水層由PP構(gòu)成,所述阻氧層由EVOH構(gòu)成。本發(fā)明鈣鈦礦量子點(diǎn)膜總厚度可以低至40um,滿足手機(jī)、平板等超薄液晶顯示屏對量子點(diǎn)膜厚度的要求。具有較高的熒光量子產(chǎn)率,極窄的半峰寬。具有超高的光穩(wěn)定性、高溫高濕穩(wěn)定性。作為液晶顯示器背光模組的下轉(zhuǎn)換熒光材料,NTSC色域最高可達(dá)105%,可應(yīng)用于廣色域、高亮度、高穩(wěn)定性液晶顯示器。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于鈣鈦礦量子點(diǎn)膜技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及鈣鈦礦量子點(diǎn)膜。
背景技術(shù)
鈣鈦礦量子點(diǎn)膜由于其出色的熒光性能,可作為廣色域液晶顯示器(LCD)背光模組的光學(xué)轉(zhuǎn)換膜,具有巨大的市場潛力。由于鈣鈦礦量子點(diǎn)對水氧敏感,為了保護(hù)鈣鈦礦量子點(diǎn)免受周圍環(huán)境中水和氧的影響,通常將鈣鈦礦量子點(diǎn)分散在聚合物材料中,并且用高阻隔性的光學(xué)薄膜保護(hù)起來。通常,制備鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜需要先通過熱注射法在有機(jī)溶劑中合成鈣鈦礦量子點(diǎn),然后通過離心、分離純化,再將純化后的量子點(diǎn)均勻地混合到UV膠水或高分子樹脂中,然后將含有量子點(diǎn)的膠水或高分子樹脂材料涂覆在水氧阻隔膜上,并用另一張水氧阻隔膜覆蓋,采用UV或熱固化的方法固化樹脂材料,得到三明治結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦量子點(diǎn)膜。然而,由于在分離和純化過程中過量去除鈣鈦礦量子點(diǎn)的表面配體,造成鈣鈦礦量子點(diǎn)表面配體鈍化不充分,常常導(dǎo)致所得鈣鈦礦量子點(diǎn)膜的熒光效率(PL QY)較低且光穩(wěn)定性較差。此外,這類鈣鈦礦量子點(diǎn)膜要求使用阻隔性較高的水氧阻隔膜才能保證量子點(diǎn)膜的老化穩(wěn)定性,大大增加了量子點(diǎn)膜的生產(chǎn)成本。并且,采用涂布的方式制備量子點(diǎn)膜對設(shè)備及工藝的要求較高,尤其是在制備低厚度量子點(diǎn)膜時無法滿足要求,而當(dāng)前手機(jī)、平板等液晶顯示屏等對光學(xué)薄膜厚度有上限要求,部分產(chǎn)品要求厚度小于55um,因此,有必要探索一種簡便而高效的方法制備鈣鈦礦量子點(diǎn)膜,既能有效制備超薄產(chǎn)品,同時確保其在惡劣的老化條件下,特別是在光照老化及高溫高濕老化條件下,具有高效率的發(fā)光和良好的穩(wěn)定性。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述背景技術(shù)中提出的問題。本發(fā)明提供了鈣鈦礦量子點(diǎn)膜。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:鈣鈦礦量子點(diǎn)膜,包括依次設(shè)置的第一阻水層、第一阻氧層、量子點(diǎn)層、第二阻氧層、第二阻水層;所述量子點(diǎn)層由0.5~10重量份的鈣鈦礦量子點(diǎn),75~95重量份的熱塑性彈性體、2~25重量份的擴(kuò)散粒子與0.02~10重量份的抗氧化劑構(gòu)成,所述阻水層由PP構(gòu)成,所述阻氧層由EVOH構(gòu)成。
優(yōu)選的,所述量子點(diǎn)膜的厚度為40~200um。
優(yōu)選的,所述量子點(diǎn)層的厚度所占層比為10%~40%。
優(yōu)選的,所述第一阻水層及第二阻水層的厚度占層比為20%~80%。
優(yōu)選的,所述第一阻氧層及第二阻氧層厚度占層比為10%~40%。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
鈣鈦礦量子點(diǎn)膜總厚度可以低至40um,滿足手機(jī)、平板等超薄液晶顯示屏對量子點(diǎn)膜厚度的要求。鈣鈦礦量子點(diǎn)膜具有較高的熒光量子產(chǎn)率,極窄的半峰寬。鈣鈦礦量子點(diǎn)膜具有超高的光穩(wěn)定性、高溫高濕穩(wěn)定性。鈣鈦礦量子點(diǎn)膜作為液晶顯示器背光模組的下轉(zhuǎn)換熒光材料,NTSC色域最高可達(dá)105%,可應(yīng)用于廣色域、高亮度、高穩(wěn)定性液晶顯示器。
附圖說明
圖1為鈣鈦礦量子點(diǎn)膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為鈣鈦礦量子點(diǎn)膜的性能測試結(jié)果圖。
圖中:1、第一阻水層,2、第一阻氧層,3、量子點(diǎn)層,4、第二阻氧層,5、第二阻水層。
具體實(shí)施方式
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