[發明專利]半導體存儲器裝置

在審

• 申請號: 202011029630.3
• 申請日: 2020-09-27
• 公開（公告）號: CN112750831A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 樸光浩;金哉勳;孫龍勳;鄭承宰
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉林果;陳亞男

提供了一種半導體存儲器裝置。所述半導體存儲器裝置包括：第一?第一導線，位于基底上；第二?第一導線，位于第一?第一導線上；第一接觸件，連接到第一?第一導線；以及第二接觸件，連接到第二?第一導線，其中，第一?第一導線在第一方向上突出超過第二?第一導線，第一?第一導線包括具有第一厚度的第一區域、具有第二厚度的第二區域和具有第三厚度的第三區域，第二厚度比第一厚度大，第三厚度比第一厚度小且比第二厚度小，并且第一?第一導線的第二區域在第一?第一導線的第一區域與第一?第一導線的第三區域之間。

于2019年10月30日在韓國知識產權局提交并且名稱為“半導體存儲器裝置和制造半導體存儲器裝置的方法”的第10-2019-0136289號韓國專利申請通過引用全部包含于此。

技術領域

實施例涉及一種半導體存儲器裝置和制造該半導體存儲器裝置的方法。

背景技術

為了改善動態隨機存取存儲器的集成密度，已經提出了一種結構，在該結構中，均由晶體管和電容器組成的單元元件沿著水平方向形成并且垂直地堆疊。

發明內容

實施例可以通過提供一種半導體存儲器裝置來實現，所述半導體存儲器裝置包括：第一-第一導線，位于基底上；第二-第一導線，位于第一-第一導線上；第一接觸件，連接到第一-第一導線；以及第二接觸件，連接到第二-第一導線，其中，第一-第一導線在第一方向上突出超過第二-第一導線，第一-第一導線包括具有第一厚度的第一區域、具有第二厚度的第二區域和具有第三厚度的第三區域，第二厚度比第一厚度大，第三厚度比第一厚度小且比第二厚度小，并且第一-第一導線的第二區域在第一-第一導線的第一區域與第一-第一導線的第三區域之間。

實施例可以通過提供一種半導體存儲器裝置來實現，所述半導體存儲器裝置包括：第一半導體圖案和第二半導體圖案，在基底之上沿第二方向延伸，第一半導體圖案在與第二方向不同的第三方向上與第二半導體圖案間隔開；第一-第一導線，連接到第一半導體圖案，并且在與第二方向和第三方向不同的第一方向上延伸；第二-第一導線，連接到第二半導體圖案，并且在第一方向上延伸；柵電極，在第三方向上延伸，柵電極與第一半導體圖案和第二半導體圖案相鄰；以及接觸件，連接到第一-第一導線，其中，第二-第一導線在第一-第一導線之上沿著第一-第一導線延伸，第一-第一導線在第一方向上突出超過第二-第一導線，第一-第一導線包括在第三方向上具有第一厚度的第一區域和在第三方向上具有第二厚度的第二區域，第二厚度比第一厚度大，并且接觸件連接到第一-第一導線的第二區域。

實施例可以通過提供一種半導體存儲器裝置來實現，所述半導體存儲器裝置包括：多個半導體圖案，沿第三方向堆疊在基底上，并且在與第三方向不同的第二方向延伸；多條第一導線，分別連接到所述多個半導體圖案，并且在與第二方向和第三方向不同的第一方向上延伸；以及多個第一柵電極，分別與所述多個半導體圖案相鄰，并且在第三方向上延伸，其中，所述多條導線包括第一-第一導線和第二-第一導線，第二-第一導線在第三方向上與第一-第一導線相鄰，第一-第一導線包括在第一方向上突出超過第二-第一導線的突出部，并且第一-第一導線的在第三方向上與第二-第一導線疊置的部分在第三方向上的厚度比第一-第一導線的突出部在第三方向上的厚度小。

附圖說明

通過參照附圖詳細地描述示例性實施例，特征對本領域技術人員而言將是明顯的，在附圖中：

圖1示出了根據本公開的一些實施例的半導體存儲器裝置的單元陣列的電路圖；

圖2示出了根據本公開的一些實施例的半導體存儲器裝置的透視圖；

圖3A、圖3B和圖3C示出了沿著圖2的線A-A'、線B-B'和線C-C'截取的剖視圖；

圖3D示出了圖3A的區域M的放大剖視圖；

圖3E示出了圖3C的區域N的放大剖視圖；

圖4示出了根據本公開的其他實施例的半導體存儲器裝置的透視圖；