[發明專利]一種微型芯片電容及其制造方法

有效

• 申請號: 202011029235.5
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112151512B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 劉凱;丁蕾;葉雯燚;陳靖;任衛朋;王立春
• 申請（專利權）人: 上海航天電子通訊設備研究所
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 王晶;胡晶

1.一種微型芯片電容制造方法，其特征在于，用于制造一種微型芯片電容，包括以下步驟：

S1:提供一鋁硅合金襯底并前處理；

S2:在所述鋁硅合金襯底的第一表面制備阻擋層；在所述鋁硅合金襯底的第二表面制備粘結層；其中，所述阻擋層和所述粘結層采用次亞磷酸鈉體系的化學鍍鎳方法同時制備且為2～3微米的鎳層，鋁硅合金襯底無需精密拋光、無需濺射打底層；

S3：在所述阻擋層上鍍金，形成預制焊料金層；在所述粘結層上鍍上導電層；所述預制焊料金層與所述導電層的成分相同，并同時制備；

S4：在所述導電層上濺射介質層、電極層；

S5：在所述預制焊料金層上通過電沉積錫，形成預制焊料錫層；其中，預制焊料金層和預制焊料錫層的厚度要匹配，形成金錫共晶焊料，所述預制焊料金層和預制焊料錫層的厚度比為0.8～1.2；

S6：劃片得到獨立的微型芯片電容。

2.根據權利要求1所述的一種微型芯片電容制造方法，其特征在于，所述芯片電容包括：依次層疊的預制焊料錫層、預制焊料金層、阻擋層、鋁硅合金襯底、粘結層、導電層、介質層，電極層。

3.根據權利要求1所述的一種微型芯片電容制造方法，其特征在于，鋁硅合金襯底為厚度0.2～0.5mm的鋁硅合金材料；所述芯片電容尺寸小于等于0.5mm×0.5mm。

4.根據權利要求1所述的一種微型芯片電容制造方法，其特征在于，所述芯片電容的下電極包括預制焊料錫層、預制焊料金層、阻擋層、鋁硅合金襯底、粘結層、導電層。

5.根據權利要求1所述的一種微型芯片電容制造方法，其特征在于，所述預制焊料金層和預制焊料錫層的總厚度為5～10微米。

6.根據權利要求1所述的一種微型芯片電容制造方法，其特征在于，步驟S1中，“前處理“包括：用20％氫氧化鈉溶液，超聲清洗鋁硅合金襯底10min，純水超聲干凈；之后再用30％稀鹽酸溶液超聲清洗鋁硅合金襯底5min，純水超聲干凈，除去表面油污和雜質。

7.根據權利要求1所述的一種微型芯片電容制造方法，其特征在于，所述阻擋層為鎳或鈀。

8.根據權利要求3所述的一種微型芯片電容制造方法，其特征在于，所述鋁硅合金襯底中，硅的質量分數為20％～70％。

9.根據權利要求1所述的一種微型芯片電容制造方法，其特征在于，預制焊料金層、預制焊料錫層的厚度比為0.8～1.2。

10.一種微型芯片電容，其特征在于，包括：依次層疊的預制焊料錫層、預制焊料金層、阻擋層、鋁硅合金襯底、粘結層、導電層、介質層，電極層，其中，所述預制焊料金層與所述導電層的成分相同，并同時制備，所述預制焊料金層和預制焊料錫層的厚度比為0.8～1.2。